[实用新型]倒装发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201920822971.2 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN210429862U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘岩;闫宝玉;刘鑫;鲁洋;刘宇轩;陈顺利 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 | ||
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底(1)；
N型半导体层(2)，设置于所述衬底(1)表面，所述N型半导体层(2)远离所述衬底(1)的部分表面依次设置有发光层(8)、P型半导体层(3)和P极金属层(4)；
所述N型半导体层(2)的边缘与所述P型半导体层(3)的边缘包围形成N型半导体台阶(9)；
绝缘层(5)，设置于所述N型半导体台阶(9)的边缘和所述P极金属层(4)的边缘，且所述绝缘层(5)将所述P极金属层(4)边缘、所述P型半导体层(3)边缘和所述发光层(8)边缘覆盖，并露出所述N型半导体台阶(9)中间部分和所述P极金属层(4)中间部分；
N型金属电极层(7)，设置于所述N型半导体台阶(9)，且所述N型金属电极层(7)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘，用以实现与所述N型半导体层(2)的电连接；
P型金属电极层(6)，设置于所述P极金属层(4)，用以实现与所述P型半导体层(3)的电连接。
2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)将所述N型半导体台阶(9)远离所述P极金属层(4)的边缘的所述绝缘层(5)覆盖。
3.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)与所述P型金属电极层(6)包围形成回字形结构。
4.如权利要求3所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)与所述P型金属电极层(6)之间设置有所述绝缘层(5)。
5.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)包括：
多个N型子电极层(710)，多个所述N型子电极层(710)间隔设置于所述N型半导体台阶(9)。
6.如权利要求5所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，多个所述N型子电极层(710)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘。
7.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型金属电极层(6)包括：
多个P型子电极层(610)，多个所述P型子电极层(610)间隔设置于所述P极金属层(4)。
8.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型金属电极层(6)为十字形结构、三角形结构或圆形结构。
9.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘层(5)包括二氧化硅层与氮化硅层，且所述二氧化硅层与所述氮化硅层的比例为1:2～4:1。
10.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P极金属层(4)包括高反射率金属层(410)和惰性金属层(420)，所述高反射率金属层(410)设置于所述P型半导体层(3)远离所述发光层(8)的表面，所述惰性金属层(420)设置于所述高反射率金属层(410)远离所述P型半导体层(3)的表面。
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