[实用新型]可控硅驱动电路

权利要求书

1.一种可控硅驱动电路，其特征在于，包括控制信号输入接口、光耦、驱动单元、恒流源以及用于连接可控硅的门极的驱动电流输出单元，其中，所述光耦的二次侧连接到所述控制信号输入接口；所述驱动单元分别与所述光耦的一次侧以及恒流源的输入端连接，并在所述光耦的一次侧导通时向所述恒流源输出导通电压；所述恒流源的输出端连接到所述驱动电流输出单元，并在接收到来自驱动单元的导通电压时输出恒定电流；所述驱动电流输出单元的输入端连接到所述恒流源的输出端，且所述驱动电流输出单元包括输出用三极管，并通过所述输出用三极管的输出电压补偿所述可控硅的门极的电压变化。

2.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动单元包括第一开关管，所述第一开关管串联连接在电压源和所述驱动单元的输出端之间，且所述第一开关管与所述光耦的一次侧同步导通。

3.根据权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动单元包括第一电阻，且所述第一电阻和所述光耦的一次侧的串联连接在所述电压源和参考地之间；所述第一开关管为PNP三极管，且所述第一开关管的发射极连接到所述电压源、所述第一开关管的集电极连接到所述驱动单元的输出端、所述第一开关管的基极连接到所述光耦的一次侧与所述第一电阻的连接点。

4.根据权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动单元包括第一电阻、第二开关管和第二电阻，且所述第一电阻和所述光耦的一次侧串联连接在所述电压源和参考地之间；

所述第一开关管为PNP三极管，且所述第一开关管的发射极连接到所述电压源、所述第一开关管的集电极连接到所述驱动单元的输出端；

所述第二开关管为PNP三极管，且所述第二开关管的发射极连接到所述第一开关管的基极、所述第二开关管的集电极经由所述第二电阻连接参考地、所述第二开关管的基极连接到所述光耦的一次侧与所述第一电阻的连接点。

5.根据权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述恒流源包括第三电阻及恒压源，且所述第三电阻的第一端以及所述恒压源的高电位端分别连接到所述驱动单元的输出端，所述第三电阻的第二端以及所述恒压源的低电位端分别连接所述驱动电流输出单元。

6.根据权利要求5所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动电流输出单元中的输出用三极管为PNP三极管，且所述输出用三极管的发射极连接到所述第三电阻的第二端、所述输出用三极管的基极连接到所述恒压源的低电位端、所述输出用三极管的集电极用于连接所述可控硅的门极。

7.根据权利要求6所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动电流输出单元包括续流二极管，且所述续流二极管连接在参考地和所述可控硅的门极之间。

8.根据权利要求6所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动电流输出单元包括滤波子单元，且所述滤波子单元连接在所述可控硅的门极和参考地之间。

9.根据权利要求8所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述滤波子单元包括第四电阻和电容，且所述第四电阻和电容并联连接在所述可控硅的门极和参考地之间。