[实用新型]一种对非可见光波段埃里斑图像进行采样的采样机构

说明书

本实用新型提供一种容易找到被测物镜的焦点位置，能够快捷地对非可见光波段埃里斑图像进行采样的采样机构。它包括：光源(1)，扩束镜(11)，分光棱镜(5)，管镜系统(6)，被测物镜(7)，第一平面反射镜(8)，CCD(10)；光源(1)发出的非可见光波段准直光束，经扩束镜(11)扩束后以平行光出射，进入分光棱镜(5)，通过被测物镜(7)聚焦在第一平面反射镜(8)的表面上，光线经反射，沿原光路返回，再经分光棱镜(5)进入管镜系统(6)后聚焦在CCD(10)的靶面位置；扩束镜(11)的放大率要使得出射光束的直径大于被测物镜(7)的最大通光孔径；第一平面反射镜(8)相对于被测物镜(7)在光轴上的位置可以调节。

技术领域

本技术涉及一种对非可见光波段埃里斑图像进行采样的装置，通过采样后，可进行非可见光波段埃里斑能量分布检测，尤其是针对激光隐形切割的激光物镜，对其非可见光波段埃里斑图像进行采样后再经过后续的分析处理可以评价用于切割的焦点能量分布状态的均一性。

背景技术

目前，公知的在使用激光光刻机对半导体芯片进行切割时，相比之前传统的切割方式，为了避免切割中产生的碎屑划伤芯片表面，通常采用隐形切割的方式进行加工，相比传统的激光切割方法，隐形切割最明显的区别在于，通过将可见光以外的激光经光路系统，聚集在工件材料内部，形成一个分割用的起点，通过材料的晶体键龟裂，将其分割成小片的切割技术。其优点在于切割功率较小，环保，无尘，不需要切割液，切割时产生的热量小对工件材料的特性没有影响。

因此，由于切割方法的改变，用于分割的起点由传统的材料表面转移至工件材料的内部，相对于聚焦使用的光路系统的聚焦能力要求也变的更高，材料内部焦点的圆整度及焦点范围内的能量分布不好，则会导致晶体键龟裂的方向与断裂的深度不一致，使得材料在切割后边缘的垂直性产生影响。通常聚焦系统使用的激光切割物镜为了方便调校，通常按照调校波长与工作波长进行设计，其调校波长为可见光波段，工作波长为非可见光波段，导致在景深范围内对于非可见光波段埃里斑图像采样比较难以实现，当然，对埃里斑的圆整度及能量的均一性也无法准确测量。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种容易找到被测物镜的焦点位置，能够快捷地获得非可见光波段埃里斑图像的对非可见光波段埃里斑图像进行采样的采样机构。

本实用新型所述的对非可见光波段埃里斑图像进行采样的采样机构，它包括：光源1，扩束镜11，分光棱镜5，管镜系统6，被测物镜7，第一平面反射镜8，CCD10；光源1发出的非可见光波段准直光束，经扩束镜11扩束后以平行光出射，进入分光棱镜5，通过被测物镜7聚焦在第一平面反射镜8的表面上，光线经反射，沿原光路返回，再经分光棱镜5进入管镜系统6后聚焦在CCD10的靶面位置；扩束镜11的放大率要使得出射光束的直径大于被测物镜7的最大通光孔径；第一平面反射镜8相对于被测物镜7在光轴上的位置可以调节。

上述的采样机构，光源1为准直非可见光波段激光器。

上述的采样机构，它还包括用于检测第一平面反射镜8相对于被测物镜7移动距离的高度计9。

上述的采样机构，管镜系统6焦距＝200mm。

上述的采样机构，在管镜系统6与CCD10之间设置一块第二平面反射镜12，从管镜系统 6出射的光线经第二平面反射镜12反射后聚焦在CCD10的靶面位置。

本技术的有益效果：光源1发出的非可见光波段准直光束，经扩束镜11扩束后，进入分光棱镜5，通过被测物镜7聚焦在第一平面反射镜8的表面上，光线经反射，沿原光路返回，再经分光棱镜5进入管镜系统6中，为了缩小整个光学系统的体积，在管镜系统6的出射端下方，再加入一块第二平面反射镜12，光线经第二平面反射镜12聚焦在采样CCD10的靶面位置，此时在被测物镜7的景深范围内通过调节第一平面反射镜8的上下位置，寻找被测物镜7的焦点位置，再在焦点位置附近在光轴上移动第一平面反射镜8，即可在CCD上得到对景深范围内不同位置的埃里斑图像。