[实用新型]一种可自触发自保护的超导薄膜开关

权利要求书

1.一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，包括超导薄膜单元(1)，超导薄膜单元(1)包括基底层(11)；还包括设置在基底层(11)一侧的超导薄膜开关层，设置在基底层(11)另一侧与超导薄膜开关层对称的触发层和与超导薄膜开关层串联的保护层；超导薄膜单元(1)与超导磁体SM并联后连接到主回路；触发层连接到触发回路；还包括与超导薄膜单元(1)并联的负载电阻R_L。

2.根据权利要求1所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述超导薄膜开关层包括临界电流不同的左超导薄膜层(13)和右超导薄膜层(17)。

3.根据权利要求1所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述超导薄膜开关层表面设置有金属保护层。

4.根据权利要求3所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述触发层和保护层表面均设置有金属保护层。

5.根据权利要求1所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述超导薄膜开关层、触发层、保护层均为钇钡铜氧制备，厚度为300～500nm。

6.根据权利要求1所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述基底层(11)为铝酸镧制备，厚度为0.5cm。

7.根据权利要求4所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述金属保护层为金层，厚度为100～300nm。

8.根据权利要求1所述的一种可自触发自保护的超导薄膜开关，其特征在于，所述主回路还包括用于放置电流反冲的二极管VD。