[实用新型]天线单元及包括该天线单元的等离子体处理装置

说明书

本实用新型提供一种天线单元及包括该天线单元的等离子体处理装置，能够消除在腔室内部可能产生的等离子体。天线单元用于在工艺空间生成等离子体，其包括：第一天线模块，一端设置有能够输入电力的第一输入端，通过所述第一输入端输入的电流流向第一方向；第二天线模块，一端设置有能够输入电力的第二输入端，通过所述第二输入端输入的电流流向所述第一方向，所述第二输入端在所述第一天线模块的主体侧方隔开配置，且其至少一部分与所述第一天线模块形成重叠区域，其中，在所述重叠区域下侧，所述等离子体的密度升高。因此，通过局部提升等离子体密度，能够消除用于基板处理的等离子体的不均衡，从而可以制备优质的基板。

技术领域

本实用新型涉及一种天线单元及包括该天线单元的等离子体处理装置，更加详细而言，涉及用于处理基板的天线单元及包括该天线单元的等离子体处理装置。

背景技术

一般，等离子体处理装置是指以等离子体为基础处理基板的装置。等离子体处理装置以沉积、蚀刻或者离子注入等各种方式处理基板。特别是，近来对于能够获得高密度等离子体的电感耦合等离子体处理装置的研发正在活跃进行中。

对于这种电感耦合等离子体处理装置的现有技术已在“韩国公开专利公报第2016-0068254号(等离子体生成模块及包括该等离子体生成模块的等离子体处理装置，2016.06.15)”公开。所述公开发明在配置有基板的腔室内部设置用于生成电感耦合等离子体的等离子体生成模块。其中，为了使等离子体生成模块与基板的大型化相应，包括有多个天线。

但是，随着基板的大面积化，用于基板处理的腔室趋于大型化，导致在腔室内部产生的等离子体的密度按照不同区域而不同。特别是，电感耦合等离子体处理装置随着从输入电力的天线的输入端的距离越远，在天线下侧产生的等离子体的密度越低。由此，在用于基板处理的等离子体中发生不均衡，导致难以制备出优质的基板。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：韩国公开专利公报第2016-0068254号(等离子体生成模块及包括该等离子体生成模块的等离子体处理装置，2016.06.15)

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的在于，提供一种天线单元及包括该天线单元的等离子体处理装置，其能够消除在腔室内部可能产生的等离子体的不均衡。

技术方案

本实用新型涉及的天线单元用于在工艺空间生成等离子体，其包括：第一天线模块，一端设置有能够输入电力的第一输入端，通过所述第一输入端输入的电流流向第一方向；以及第二天线模块，一端设置有能够输入电力的第二输入端，通过所述第二输入端输入的电流流向所述第一方向，所述第二输入端在所述第一天线模块的主体侧方隔开配置，且其至少一部分与所述第一天线模块形成重叠区域，其中，在所述重叠区域下侧，所述等离子体的密度升高。

所述第二输入端可以在平面方向配置于所述第一天线模块的主体侧方。

所述第一天线模块和所述第二天线模块可以配置成在平面方向上彼此平行。

所述第一天线模块和所述第二天线模块分别包括：第一天线区域，所述电力施加于所述第一天线区域；第二天线区域，从所述第一天线区域延伸，所述电流从所述第一天线区域流向所述第二天线区域；第三天线区域，以与所述第二天线区域相邻的方式，从所述第一天线区域延伸，所述电流从所述第一天线区域流向所述第三天线区域，其中，所述第一天线区域包括：输入部，形成输入所述电力的路径；分支部，在与所述输入部交叉的方向上与所述输入部连接，一侧连接有所述第二天线区域，另一侧连接有所述第三天线区域。

所述天线单元中，所述第二天线模块的所述第一天线区域配置在所述第一天线模块的所述第二天线区域和所述第三天线区域之间，以使所述第一天线模块和所述第二天线模块形成所述重叠区域。