[实用新型]一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线

权利要求书

1.一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：包括天线辐射结构、集成基片间隙波导结构，所述天线辐射结构、集成基片间隙波导结构从上到下依次排列重叠；集成基片间隙波导结构包括用于屏蔽电磁辐射能量的电磁带隙结构和用于向天线辐射结构传输能量的馈电结构。

2.如权利要求1所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述馈电结构包括第二介质板(2)，第二介质板(2)的上表面敷设有第一敷铜层(7)，所述第一敷铜层(7)中部刻蚀有缝隙；所述第二介质板(2)的下表面设置有微带馈线(8)。

3.如权利要求2所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述微带馈线(8)从第二介质板(2)的一端向第二介质板(2)的中部延伸并完全越过缝隙；所述缝隙为矩形缝隙(6)，矩形缝隙(6)刻蚀在第一敷铜层(7)中部；所述微带馈线(8)为矩形。

4.如权利要求2所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述微带馈线(8)从第二介质板(2)的一端向第二介质板(2)的中部延伸至缝隙正下方；所述微带馈线(8)为矩形；所述缝隙为矩形缝隙(6)，矩形缝隙(6)刻蚀在第一敷铜层(7)中部。

5.如权利要求4所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述微带馈线(8)的末端设置为T形，T形顶部横线所对应的金属带(24)设置于所述矩形缝隙(6)的正下方，T形顶部横线所对应的金属带(24)的宽度小于所述矩形缝隙(6)。

6.如权利要求4所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述微带馈线(8)的末端设置为扇形或圆形，扇形或圆形末端设置于所述矩形缝隙(6)的正下方。

7.如权利要求3所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述矩形缝隙(6)设置于第一敷铜层(7)的中部，矩形缝隙(6)与微带馈线(8)相互垂直，所述微带馈线(8)完全越过矩形缝隙(6)。

8.如权利要求2－7其中之一所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述天线辐射结构为超表面结构，天线辐射结构包括第一介质板(1)，第一介质板(1)的上表面设置有周期排列的辐射贴片。

9.如权利要求8所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述辐射贴片为方形贴片(5)、六边形的切角贴片(12)或圆形辐射贴片(13)，所述辐射贴片第一介质板(1)的下表面与第一敷铜层(7)相连，所述微带馈线(8)通过第一敷铜层(7)上的矩形缝隙(6)向天线辐射结构提供能量。

10.如权利要求8所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述辐射贴片为在矩形贴片的基础上，通过在其上镂空不同的形状，并通过多个矩形贴片组合排列而成。

11.如权利要求1－7、9、10其中之一所述的一种ISGW馈电缝隙耦合超表面天线，其特征在于：所述馈电结构与电磁带隙结构之间设置有第三介质板(3)，所述第三介质板(3)将馈电结构与电磁带隙结构相隔离；第三介质板(3)上表面与微带馈线(8)相连。