[实用新型]直流发光器件

说明书

本申请提供了一种直流发光器件，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的直流发光器件，各个发光单元形成电子传输岛状结构，各个电子传输岛状结构之间具有足够的距离，相互之间是分隔的。形成各个发光单元由于不需要使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，有效的简化了工艺，并且显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心，提高器件的发光强度，减慢器件的温升。同时，支撑衬底作为整体结构的支撑结构，可以避免生长衬底的吸光，提高器件的出光率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种直流发光器件。

背景技术

发光二极管LED(Light Emitting Diode)是一种常用的发光器件，常规的LED是低电压的直流器件，在使用市电或其他较高电压的电源来驱动LED的时候，就需要复杂的驱动电路来把电源的电压转化为LED所需的低压、直流电源，这显著地增加了系统的成本，不利于LED的推广使用。

LED可以使用硅衬底进行制作，但硅衬底不透明，会吸收位于其上的LED外延层所发出的光，导致出光效率极大降低。在硅衬底上的多个发光小岛是通过刻蚀或切割形成的，会形成非辐射复合中心。当形成非辐射复合中心时，电子与空穴发生非辐射复合时多余的能量会传递给附近的原子，增加了原子的动能，不仅使得LED的温度升高，还减弱了LED的发光强度。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种直流发光器件。

本申请提供的技术方案如下：

一种直流发光器件，包括：至少一个发光单元、第一绝缘层、连接层、支撑衬底、P电极和N电极，所述发光单元包括电子传输岛状结构、辐射复合层、空穴传输层和P型电极层，其中：

所述辐射复合层覆盖所述电子传输岛状结构的表面；

所述空穴传输层覆盖所述辐射复合层的表面；

所述P型电极层覆盖所述空穴传输层的表面，相邻的发光单元对应的P型电极层相连接，相邻的发光单元对应的电子传输岛状结构互相连接；

所述P电极与所述P型电极层相连接，所述N电极与所述电子传输岛状结构相连接；

所述连接层覆盖所述发光单元，所述支撑衬底位于所述连接层远离所述发光单元的一侧。

进一步地，所述发光单元还包括第二绝缘层和N型电极层，所述第二绝缘层覆盖所述P型电极层，所述N型电极层与所述电子传输岛状结构相连接，多个所述发光单元的N型电极层相连接，所述P电极贯穿所述第一绝缘层与所述P型电极层相连接。

进一步地，所述连接层为绝缘材料，所述N电极从所述第一绝缘层远离所述P型电极层一侧，贯穿所述第一绝缘层和P型电极层后与所述N型电极层相连接。

进一步地，所述连接层和支撑衬底为导电材料，所述支撑衬底作为所述直流发光器件的N电极。

进一步地，所述连接层覆盖所述P型电极层，所述连接层为绝缘材料，所述P电极从所述第一绝缘层远离所述P型电极层一侧贯穿所述第一绝缘层后，与所述P型电极层连接，所述N电极从所述第一绝缘层远离所述P型电极层一侧贯穿所述第一绝缘层后，与所述电子传输岛状结构相连接。

进一步地，所述连接层覆盖所述P型电极层，所述连接层和支撑衬底为导电材料，所述支撑衬底作为所述直流发光器件的P电极，所述N电极从所述第一绝缘层远离所述P型电极层一侧贯穿所述第一绝缘层后，与所述电子传输岛状结构相连接。

进一步地，所述第一绝缘层为二氧化硅或氮化硅。

进一步地，所述P型电极层为透明导电材料或者高反射率材料。

进一步地，所述P型电极层为铟锡氧化物半导体透明导电膜ITO或银。