[实用新型]高频高压电路分时复用控制装置及多电极射频消融系统

权利要求书

1.一种高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，包括：控制端电源接入端、通断方波控制器、高速通断控制器及高速变电抗器；所述控制端电源接入端通过所述通断方波控制器电性连接至所述高速通断控制器，所述通断方波控制器根据通断控制信号控制所述控制端电源接入端加载于所述高速通断控制器的电压通断频率；所述高速通断控制器电性连接所述高速变电抗器的初级，用以根据所述电压通断频率控制流经所述高速变电抗器的初级的电流通断频率；所述高速变电抗器的次级电性连接交流负载电路，并且在所述高速变电抗器的初级有电流导通时所述次级为导通，在所述高速变电抗器的初级无电流导通时所述次级产生电抗。

2.根据权利要求1所述的高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，所述高速变电抗器是由磁环体、均匀缠绕于所述磁环体上的初级漆包线及次级漆包线构成，其中缠绕于所述磁环体上的所述初级漆包线构成所述高速变电抗器的初级，缠绕于所述磁环体上的所述次级漆包线构成所述高速变电抗器的次级。

3.根据权利要求2所述的高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，所述磁环体的材质为36X23X15的锰锌铁氧体，所述初级漆包线直径为1.0mm且均匀缠绕于所述磁环体上15圈，所述次级漆包线直径为0.8mm且均匀缠绕于所述磁环体上30圈。

4.根据权利要求1所述的高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，所述高速通断控制器是由两个N型MOS管电性连接所述高速变电抗器的初级的两端构成，其中所述控制端电源接入端的正极电性连接所述通断方波控制器后再与所述两个N型MOS管的栅极电性连接，所述两个N型MOS管的漏极分别与所述高速变电抗器的初级的一端及另一端电性连接，所述两个N型MOS管的源极与所述控制端电源接入端的负极电性连接。

5.根据权利要求4所述的高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，所述两个N型MOS管的漏极与源极之间分别电性连接一个二极管，其中所述源极与所述二极管的正极电性连接，所述漏极与所述二极管的负极电性连接。

6.根据权利要求1所述的高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，所述通断控制信号的通断频率为50Hz至1KHz。

7.根据权利要求1所述的高频高压电路分时复用控制装置，其特征在于，所述高速变电抗器的次级的电感量为2.5mH。

8.一种多电极射频消融系统，电性连接于一个高频高压交流电输出电路中，其特征在于，所述多电极射频消融系统包括：两个隔离控制端电源、至少两组如权利要求1至7任意一项所述的高频高压电路分时复用控制装置以及至少两组消融电极；其中每组所述高频高压电路分时复用控制装置包括两个高频高压电路分时复用控制装置；每组所述消融电极包括两个消融电极；所述两个隔离控制端电源分别对应接入至每组所述高频高压电路分时复用控制装置的两个高频高压电路分时复用控制装置的控制端电源接入端；所述高频高压交流电输出电路的一输出端电性连接于每组所述高频高压电路分时复用控制装置的其中一个高频高压电路分时复用控制装置的高速变电抗器的次级的一端，所述高频高压交流电输出电路的另一输出端电性连接于每组所述高频高压电路分时复用控制装置中的另一个高频高压电路分时复用控制装置的高速变电抗器的次级的一端；每组所述消融电极对应连接于每组所述高频高压电路分时复用控制装置的两个高频高压电路分时复用控制装置的高速变电抗器的次级的另一端。

9.根据权利要求8所述的多电极射频消融系统，其特征在于，所述隔离控制端电源为12V的直流电源。

10.根据权利要求8所述的多电极射频消融系统，其特征在于，各组所述高频高压电路分时复用控制装置的通断方波控制器的通断控制信号的方波相差为360度/高频高压电路分时复用控制装置的组数；各组所述高频高压电路分时复用控制装置的通断方波控制器的通断控制信号的方波波形占空比为1/高频高压电路分时复用控制装置的组数*100%。