[实用新型]一种功率连续可调的电磁炉有效
申请号: | 201920854780.4 | 申请日: | 2019-06-09 |
公开(公告)号: | CN212137952U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 张玉清 | 申请(专利权)人: | 张玉清 |
主分类号: | H05B6/08 | 分类号: | H05B6/08;H05B6/12 |
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地址: | 102209 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 连续 可调 电磁炉 | ||
1.一种功率连续可调的电磁炉:其特征是提供一种基于一种功率连续可调的电磁炉的电路基础上,使用了由场效应三极管Q2、二极管D2、二极管D5和电容器C3组成的新型单向开关电路,增加了由半桥驱动集成电路U1、光电耦合集成电路U2和电阻器R3~R5组成的新型半桥驱动电路;由继电器J1、三极管Q3、二极管D4和电阻器R2组成的继电器与控制电路和由二极管D3和电阻器R1组成的电源电压过零补偿电路保留不变;所述单向开关电路、继电器与控制电路、电源电压过零补偿电路和新型半桥驱动电路是由三极管、场效应三极管、IGBT三极管、二极管、电容器、电阻器、继电器和集成电路所组成。
2.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述新型单向开关电路的场效应三极管Q2的漏极与二极管D5的负极相连接,二极管D5正极和二极管D2的负极、电容器C3的一端与正电Va相连接,场效应三极管Q2的源极和二极管D2的正极、电容器C3的另一端与电容器C2的Vb端相连接,场效应三极管Q2的栅极与驱动电路输出端Ho相连接。
3.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述继电器与控制电路的继电器J1常开触点的第1脚与电容器C2的Vb端相连接,继电器J1常开触点的第2脚与正电源Va相连接;继电器J1的线圈的一端和二接管D4的负极与+18V电源相连接,继电器J1的线圈的另一端和二接管D4的正极与三极管Q3的集电极相连接,三极管Q3的基极与电阻器R2一端相连接,电阻器R2的另一端与微处理器的一个接口I/O-X相连接,三极管Q3的发射极与GND相连接。
4.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述电源电压过零补偿电路的二极管D3的正极与电源+18V相连接,二极管D3的负极与电阻器R1一端相连接,电阻器R1的另一端与正电Va相连接。
5.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述新型半桥驱动电路的半桥驱动集成电路U1的第1脚和第8脚与电源+18V相连接, 半桥驱动集成电路U1的第2脚与脉冲信号的输入端In相连接, 半桥驱动集成电路U1的第3脚、第6脚和光电耦合集成电路U2的第3脚与GND相连接, 半桥驱动集成电路U1的第4脚与电阻器R3的一端相连接,电阻器R3的另一端与光电耦合集成电路U2的第1脚相连接,半桥驱动集成电路U1的第7脚与电阻器R5的一端相连接,电阻器R5的另一端与IGBT三极管Q1的栅极相连接;所述光电耦合集成电路U2的第4脚和场效应三极管Q2的源极与Vb相连接,光电耦合集成电路U2的第5脚与电阻器R4的一端相连接,电阻器R4的另一端与场效应三极管Q2的栅极相连接,光电耦合集成电路U2的第6脚与电源+15V相连接。
6.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述三极管Q2可以是场效应三极管、IGBT三极管和双极型三极管。
7.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述单向开关电路、继电器与控制电路、电源电压过零补偿电路和新型半桥驱动电路可做成分立电路、厚膜电路、集成电路和复合晶体管。
8.按照权利要求1所述一种功率连续可调的电磁炉,其特征是:所述单向开关电路、继电器和控制电路、电源电压过零补偿电路和新型半桥驱动电路可在电子变压器、电焊机和变频器的产品的电路中使用。
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