[实用新型]一种载带驱动芯片用电压准位移位器

权利要求书

1.一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：包括偏压控制电路(a)、高压晶体管(b)、低压元件(c)和高压元件(d)，所述偏压控制电路(a)、高压晶体管(b)、低压元件(c)和高压元件(d)的数量均为2个，所述每一个偏压控制电路(a)对应电连接于其中一个高压晶体管(b)的闸极，所述每一个低压元件(c)的汲极对应电连接于其中一个高压晶体管(b)的源极，所述每一个高压晶体管(b)的汲极对应电连接于其中一个高压元件(d)的汲极和另一个高压元件(d)的闸极。

2.根据权利要求1所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述每一个低压元件(c)的源极均与工作电压VDD电连接，所述每一个高压元件(d)的源极电连接于反向电荷帮浦VGL。

3.根据权利要求2所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述偏压控制电路(a)的偏压产生方式为利用二极管叠接法叠接来产生。

4.根据权利要求2所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述偏压控制电路(a)的偏压产生方式为带差参考电压电路来产生。

5.根据权利要求2所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述偏压控制电路(a)的偏压产生方式为二极管叠加电阻方法来产生。

6.根据权利要求2所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述高压晶体管(b)为高压PMOS晶体管。

7.根据权利要求2所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述低压元件(c)为低压PMOS晶体管。

8.根据权利要求2所述的一种载带驱动芯片用电压准位移位器，其特征在于：所述高压元件(d)为高压NMOS晶体管。