[实用新型]多协议快充测试装置

权利要求书

1.一种多协议快充测试装置，其特征在于：包括

电源电路、MCU控制电路、多协议移动电源电路、接口开关电路、负载电路以及测试接口组，所述电源电路向所述MCU控制电路、所述多协议移动电源电路、所述接口开关电路、所述负载电路以及多个所述测试接口提供电源，所述多协议移动电源电路、所述接口开关电路和所述负载电路分别与所述MCU控制电路电连接，所述接口开关电路和所述负载电路分别与所述多协议移动电源电路电连接，测试接口组与所述接口开关电路电连接。

2.根据权利要求1所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述接口开关电路包括模拟开关电路组，所述模拟开关电路组中的每一个模拟开关电路分别电连接所述MCU控制电路、所述多协议移动电源电路以及所述测试接口组中对应的测试接口。

3.根据权利要求2所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述接口开关电路还包括MOS开关电路组，所述MOS开关电路组中的每一个MOS开关电路分别电连接所述MCU控制电路、所述多协议移动电源电路以及所述测试接口组对应的测试接口。

4.根据权利要求3所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述模拟开关电路包括单刀双掷模拟开关芯片，所述单刀双掷模拟开关芯片的控制端与所述MCU控制电路电连接，所述单刀双掷模拟开关芯片的输入端与所述多协议移动电源电路电连接，所述单刀双掷模拟开关芯片的输出端与对应的所述测试接口电连接。

5.根据权利要求4所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述MOS开关电路包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管和第一N沟道场效应管，所述第一P沟道场效应管的漏极与对应的所述测试接口电连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第二P沟道场效应管的源极电连接，所述第二P沟道场效应管的漏极与所述多协议移动电源电路电连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第二P沟道场效应管的栅极均与所述第一N沟道场效应管的漏极电连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述MCU控制电路电连接。

6.根据权利要求5所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述模拟开关电路组与所述测试接口组之间的每一个通路上均设置有保护电路，所述保护电路的输入端与所述模拟开关电路组中对应的模拟开关电路电连接，所述保护电路的输出端与所述测试接口组中对应的测试接口电连接。

7.根据权利要求6所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述保护电路包括稳压管和稳压电阻，所述稳压管的第一端与所述稳压电阻的第一端电连接，所述稳压管的第一端与所述稳压电阻的第一端均与所述模拟开关电路组中对应的模拟开关电路电连接，所述稳压管的第二端接地，所述稳压电阻的第二端与所述测试接口组中对应的测试接口电连接。

8.根据权利要求1至7任一项所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述负载电路包括多路负载子电路，多路所述负载子电路并联。

9.根据权利要求8所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述负载子电路包括负载电阻和控制开关，所述负载电阻的第一端与所述多协议移动电源电路电连接，所述负载电阻的第二端与控制开关电连接，所述控制开关的控制端与所述MCU控制电路电连接。

10.根据权利要求1至7任一项所述的多协议快充测试装置，其特征在于：

所述多协议快充测试装置还包括指示电路，所述指示电路与所述MCU控制电路电连接。