[实用新型]一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线

权利要求书

1.一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，包括上层介质基板、下层介质基板、T型耦合探针、SMA馈电接头、金属贴片、金属地板、金属短路柱以及刻有U型槽的方形辐射贴片；

所述上层介质基板和下层介质基板贴合，刻有U型槽的方形辐射贴片印刷在上层介质基板的上表面，金属贴片和金属地板分别覆盖下层介质基板的上表面和下表面，SMA馈电接头设置在下层介质基板上，SMA馈电接头与下层介质基板的上表面金属贴片连接，金属短路柱嵌在下层介质基板围成长方形；嵌在下层介质基板的金属短路柱分别与位于下层介质基板下表面的金属地板和位于下层介质基板上表面的金属贴片相连接构成谐振腔；T型馈电探针是由水平的微带线和垂直馈电探针组成，水平微带线印刷在上层介质基板的上表面，垂直馈电探针嵌在两层介质板中，垂直馈电探针一端与水平微带线中心连接，另一端与下层的金属地板连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，所述具有U型槽的方形辐射贴片的U型槽刻在辐射贴片的边缘。

3.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，所述上层介质基板的尺寸小于下层介质基板金属短路柱包围的尺寸。

4.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，所述T型耦合探针和SMA馈电接头尽可能地往SIW谐振腔两边错开。

5.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，嵌在下层介质基板的金属短路柱相距一定的距离，该距离由公式d₂/d₃≤2和d₃/λ₀≤0.1决定；其中，d₂表示金属短路柱的直径，d₃表示相邻金属短路柱的圆心距离，λ₀表示自由空间的波长。

6.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，位于下层介质基板谐振腔的金属短路柱对称分布在下层介质基板的中间位置；金属短路柱围成长方形的长和宽决定了谐振腔的两个谐振频率，所以距离中心距离的大小是由工作频率进行决定。

7.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，所述T型馈电探针的水平微带线长度与方形辐射贴片的边长相等。

8.根据权利要求1所述的一种基于SIW谐振腔的双频滤波天线，其特征在于，所述金属地板上刻有圆形槽。