[实用新型]一种三相电感平衡的电抗器

说明书

本实用新型公开一种三相电感平衡的电抗器，包括夹持在上铁轭和下铁轭之间的A相芯柱、B相芯柱与C相芯柱，A相芯柱、B相芯柱、C相芯柱的电气匝数依次分别为N+1、N、（2N+1）/2；每相气隙总厚度lg=0.4*π*W^2*Sc/L，公式中W为每相芯柱的电气匝数，Sc为每相芯柱的有效截面积，L为电感量；A相芯柱最上层A相硅钢片的高度为a2、其余A相硅钢片的高度为a1；B相芯柱最上层B相硅钢片的高度为a3、其余B相硅钢片的高度为a1；C相芯柱所有C相硅钢片的高度均为a1；a3=（a1+a2）/2；通过优化每相电气匝数、气隙以及硅钢片高度，使三相磁路磁阻保持一致，使三相电感平衡，同时确保上铁轭水平，保证产品质量。

技术领域

本实用新型涉及电气元件技术领域，具体是一种三相电感平衡的电抗器。

背景技术

传统的进出线排两侧布置的大功率箔绕三相电抗器，当绕制的绕组存在半匝的情况时（例如10.5匝），会因为两个绕组是11匝，另一个绕组是10匝而导致三相感量不平衡。

如果要确保电感量三相平衡就需要将其中两相的芯柱气隙增加，但这样会使上铁轭向上倾斜，从而导致电抗器结构不稳定，产生噪音增大、安装尺寸不合格等问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种三相电感平衡的电抗器，该电抗器能够使三相电感平衡，同时确保上铁轭水平，保证产品质量。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种三相电感平衡的电抗器，包括夹持在上铁轭和下铁轭之间的A相芯柱、B相芯柱与C相芯柱，A相芯柱包含一组交替设置的A相硅钢片与A相气隙，B相芯柱包含一组交替设置的B相硅钢片与B相气隙，C相芯柱包含一组交替设置的C相硅钢片与C相气隙，其特征在于，所述A相芯柱、B相芯柱、C 相芯柱的电气匝数依次分别为 N+1、N、（2N+1）/2；

每相气隙总厚度lg=0.4*π*W^2*Sc/L，公式中W为每相芯柱的电气匝数，Sc为每相芯柱的有效截面积，L为电感量；

A相芯柱最上层A相硅钢片的高度为a2、其余A相硅钢片的高度为a1；B相芯柱最上层B相硅钢片的高度为a3、其余B相硅钢片的高度为a1；C相芯柱所有C相硅钢片的高度均为a1；a3=（a1+a2）/2。

本实用新型的有益效果是，通过优化每相电气匝数、气隙以及硅钢片高度，使三相磁路磁阻保持一致，使三相电感平衡，同时确保上铁轭水平，保证产品质量。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型提供一种三相电感平衡的电抗器，包括夹持在上铁轭1和下铁轭2之间的A相芯柱、B相芯柱与C相芯柱，A相芯柱包含一组交替设置的A相硅钢片31与A相气隙32，B相芯柱包含一组交替设置的B相硅钢片41与B相气隙42，C相芯柱包含一组交替设置的C相硅钢片51与C相气隙52；

所述A相芯柱、B相芯柱、C 相芯柱的电气匝数依次分别为 N+1、N、（2N+1）/2。

每相气隙的总厚度lg=0.4*π*W^2*Sc/L，公式中W为每相芯柱的电气匝数，Sc为每相芯柱的有效截面积，L为电感量。分别将A相芯柱、B相芯柱、C 相芯柱的参数代入上述公式，即可分别计算得到A相、B相及C 相的气隙的总厚度，各相气隙自身之间的厚度分配可按照现有常规方式，在此不赘述。

A相芯柱最上层A相硅钢片31的高度为a2、其余A相硅钢片的高度为a1；B相芯柱最上层B相硅钢片41的高度为a3、其余B相硅钢片的高度为a1；C相芯柱所有C相硅钢片51的高度均为a1；a3=（a1+a2）/2。