[实用新型]一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统有效
申请号: | 201920865407.9 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN210040133U | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 张家尧;朱干军;徐竞;陈雄群 | 申请(专利权)人: | 义乌臻格科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/683 |
代理公司: | 34125 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李璐;郭华俊 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面发射 电路基板 光电性能 驱动装置 芯片放置 放置台 检测 衬底 光电芯片阵列 本实用新型 光学探测器 光电芯片 芯片 光电性能检测 间距分布 检测系统 同步检测 往返移动 依次排列 微型LED 小型LED 移动 | ||
1.一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,用于呈一定间距分布的面发射光电芯片阵列的光电性能检测,其特征在于:包括转移驱动装置(4)、转移头(5)、衬底放置台(9)、检测电路基板(6)、芯片放置台(7)、光学探测器(8);
所述衬底放置台(9)、检测电路基板(6)、芯片放置台(7)依次排列于所述转移驱动装置(4)的同一侧;
所述转移头(5)固定安装于转移驱动装置(4)的移动执行端,并在衬底放置台(9)和芯片放置台(7)之间的上方往返移动;
所述光学探测器(8)位于检测电路基板(6)的正下方,用于采集其上方的微型面发射光电芯片(2)的光学参数。
2.根据权利要求1所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述转移头(5)的底面开设有若干个呈矩阵分布的吸放槽(521),相邻两个吸放槽(521)的中心间距为同方向上两个相邻面发射芯片中心间距的v(v≥2且为整数)倍;
转移头(5)的内部垂直设置有若干条相互独立并与每个吸放槽(521)对应连通的气道(511)。
3.根据权利要求2所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述转移头(5)的顶部设置有密封盖(53),密封盖(53)内设置有与每个气道(511)顶部连通的腔室;
所述密封盖(53)的侧面设置有与腔室连通的接气管(55)。
4.根据权利要求3所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述密封盖(53)的顶部设置有若干个微动电磁阀(54),用于控制每个气道(511)与腔室的连通/隔断。
5.根据权利要求3所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述接气管(55)的外端口通过第一气阀(56)与正压气源连接、通过第二气阀(57)与负压气源连接。
6.根据权利要求2所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述转移头(5)的吸附芯片的接触面设置有导电层(523),每个吸放槽(521)的顶面均设置有为面发射光电芯片的顶部一端电极供电的供电触头,每个供电触头与导电层(523)电连接。
7.根据权利要求1或6所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述检测电路基板(6)为ITO玻璃基板或柔性透明电路板,检测电路基板(6)的表面布设有若干个为面发射光电芯片的底部一端电极供电的供电触头。
8.根据权利要求1所述的一种微型面发射光电芯片阵列光电性能巨量检测系统,其特征在于:所述检测电路基板(6)为ITO玻璃基板或柔性透明电路板,检测电路基板的表面布设有若干个为面发射光电芯片的底部两个电极供电的供电触头组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造