[实用新型]吸收保护电路

说明书

本实用新型提供一种吸收保护电路，包括：第一放电单元，所述第一放电单元与负载电连接；第一充电单元，所述第一充电单元与所述第一放电单元电连接；第二放电单元，所述第二放电单元与负载电连接；第二充电单元，所述第二充电单元与所述第二放电单元电连接；电容C3，所述电容C3分别与所述第一充电单元及所述第二充电单元电连接。与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：1)在现有技术的电路基础上，增加压敏电阻及放电回路，而组成的功率器缓冲吸收电路，就能够有效减小在大功率、高控制频率条件下，功率器件开关状态时的尖峰电压，从而使得功率逆变电路向更大功率等级上发展。2)结构简单，功率损耗小的吸收电路被广泛利用在逆变电路中。

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，特别是一种吸收保护电路。

背景技术

随着电力电子技术的发展，功率逆变电路逐渐向集成化、轻质化发展，为了克服目前所存在的弊端，通常采用提高控制开关频率的控制策略。目前MOSFET吸收电路多采用RCD型缓冲吸收电路，此电路能够吸收功率器件在开关时产生的尖峰电压，但随着逆变电路的功率进一步增大，控制开关频率逐步增加时，逆变电路的寄生电感、电容等参数就不能忽略，常规RCD型缓冲吸收电路就不能够有效的吸收功率器件在开关状态时产生的较高的尖峰电压。

现有技术，中国发明专利《一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路》(申请号：201711419515.5)公开了一种逆变电路中功率MOS管的泄放保护电路，包括调压比较电路、隔离泄放驱动电路、泄放电路和吸收电路；所述吸收电路当母线电压发生波动时，稳定母线电压；所述调压比较电路当母线电压超过设定阈值时，控制隔离泄放驱动电路开启；隔离泄放驱动电路开启后控制泄放电路开启，消耗母线电能。本发明实现了对逆变电路中功率MOS管的保护，提高了逆变器电路的安全性能，而且电路搭建简单可靠，节约了研发成本和研发时间。采用了调压比较电路，实现了对电压比较值的有效调节，能够按照保护电压调节比较阈值，提高了对逆变电路的可控性。采用了隔离泄放驱动电路，实现了强电信号和弱电信号的隔离，提高了整个电路的安全性、抗干扰能力和驱动能力。

但是，随着控制开关频率的提高，功率器件的热损耗也随之增大，从而使得逆变电路发热严重，进而降低整体效率。现有技术工作在高频状态下，逆变电路中的寄生电感、分布电容等参数就不能忽略，在功率器件开关瞬间，由于寄生参数产生的尖峰电压，会给逆变器电路中电子元件带来很高的击穿风险，从而使得电路设计时需选用更高耐压值的功率器件，增加了电路设计成本。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型目的在于提供一种解决上述技术问题的吸收保护电路。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种吸收保护电路，包括：第一放电单元，所述第一放电单元与负载电连接；

第一充电单元，所述第一充电单元与所述第一放电单元电连接；

第二放电单元，所述第二放电单元与负载电连接；

第二充电单元，所述第二充电单元与所述第二放电单元电连接；

电容C3，所述电容C3分别与所述第一充电单元及所述第二充电单元电连接。

优选地，所述第一放电单元包括：

MOS管Q1，所述MOS管Q1的源极与负载电连接，所述MOS管Q1的漏极与电源VCC电连接；

电阻VR1，所述电阻VR1的一端分别与所述MOS管Q1的漏极及电源VCC电连接，所述电阻VR1的另一端与所述MOS管Q1的源极及负载电连接；

电容C1，所述电容C1的一端与所述MOS管Q1的漏极及电源VCC电连接；

二极管D1，所述二极管D1的正极与所述电容C1的另一端电连接，所述二极管D1的负极分别与所述MOS管Q1的源极及负载电连接。