[实用新型]振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构

权利要求书

1.一种振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其组成：包括测量端口和通信端口的存贮振弦传感器标定参数的存贮单元，所述的存贮单元的组成包括存贮电路（F）、电源电路（P）和双向开关电路（t-way）；其特征在于，

所述的测量端口（sens)是连接振弦传感器、获取频率变送信号的接入端口，由接入端（L1）与公共端（END）共同构成，所述的接入端（L1）串联单向开关（o-way）短通于通信端口（data）的外接端（L2）；

所述的通信端口（data）是存贮单元与外测控装置连接的端口，存贮电路（F）的I/O端的外接引线为通信端口的外接端（L2），与公共端（END）共同构成；

双向开关电路（t-way）连接在存贮电路地线（GND）与公共端（END）之间，其控制端（T)连接在电源电路（P）的供电端或通信端口的外接端（L2）上；所述的电源电路（P）连接在通信端口的外接端（L2）与存贮电路（F）的地线（GND）之间。

2.根据权利要求1所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，存贮电路（F）为存贮芯片构成，或为一线总线制的存贮芯片构成，或为含测温功能的存贮芯片构成，或为一线总线制的含测温功能存贮芯片构成，或为嵌入EEPROM或FLASH的单片机构成，或为外接EEPROM24LC02或含测温功能的存贮芯片的单片机系统。

3.根据权利要求1或2所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，电源电路（P）由整流管（D1）与储能电容（C）构成。

4.根据权利要求3所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，储能电容（C）为极性电容或无极性电容。

5.根据权利要求1或2所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，双向开关电路（t-way）由极性反向的二极管（D3）与单向可控硅（SCR）并联构成，其中的二极管（D3）与电源电路的整流管（D1）极性相同。

6.根据权利要求5所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，单向开关（o-way）、双向开关电路（t-way）的二极管（D3）为单向可控硅。

7.根据权利要求1或2所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，存贮电路（F）为管脚内置有箝位二极管的集成芯片，电源电路（P）中省去外接整流管（D1）的电路连接。

8.根据权利要求5所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，存贮电路（F）为管脚内置有箝位二极管的集成芯片，电源电路（P）中省去外接整流管（D1）的电路连接。

9.根据权利要求1或2所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，存贮电路（F）为一线总线制存贮芯片或含测温功能的存贮芯片，双向开关电路（t-way）的控制端（T）连接至通信端口（data）的外接端（L2）端。

10.根据权利要求5所述的振弦传感器标定参数存贮包二芯线嵌入结构，其特征在于，存贮电路（F）为一线总线制存贮芯片或含测温功能的存贮芯片，双向开关电路（t-way）的控制端（T）连接至通信端口（data）的外接端（L2）端。