[实用新型]一种显示面板和显示装置有效
申请号: | 201920872280.3 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN211293540U | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 杨艳娜;王天雪;顾毓波 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 吴国城 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
彩膜基板,与所述阵列基板相对设置;
所述阵列基板包括:数据线、扫描线,由扫描线与数据线交错形成的像素单元以及连接所述像素单元的薄膜晶体管;
所述像素单元包括主像素区和次像素区,所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的数量有且只有一个。
2.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述像素单元包括多个子像素,所述主像素区和所述次像素区分别包括四个畴,其中,所述主像素区的同一个子像素与次像素区的同一子像素转动角度不同。
3.如权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括源极和与所述源极相对设置的漏极,以及由所述源极和所述漏极定义的沟道区;
其中,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区宽长比不同。
4.如权利要求3所述的一种显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的沟道区和所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度相同,所述第一薄膜晶体管沟道区的长度大于所述第二薄膜晶体管沟道区的长度。
5.如权利要求3所述的一种显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的沟道区和所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度相同,所述第一薄膜晶体管沟道区的宽度小于所述第二薄膜晶体管沟道区的长度。
6.如权利要求3所述的一种显示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度,并且所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管沟道区的宽度。
7.如权利要求3所述的一种显示面板,其特征在于,所述沟道区的长度不小于4um。
8.如权利要求3所述的一种显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管的材料为Al、Cu、Mo、MoW、AlNd、和Cr之一,所述沟道区形状为U形。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
彩膜基板,与所述阵列基板相对设置;
其中,所述阵列基板包括:数据线、扫描线、由扫描线与数据线交错形成的像素单元以及连接所述像素单元的薄膜晶体管;
所述像素单元包括由所述扫描线和数据线定义的主像素区和次像素区;所述主像素区和所述次像素区分别包括四个畴;所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管包括源极,漏极以及沟道区;
所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度,所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任意一项所述的显示面板。
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