[实用新型]一种环形凸台陶瓷电容器芯片

说明书

本实用新型公开一种环形凸台陶瓷电容器芯片，包括陶瓷基体，所述陶瓷基体的上表面边沿内侧设有截面呈圆弧形的第一凸条，所述第一凸条的内侧围有第一电极平面，所述第一凸条的外围形成有第一外围平面，所述第一外围平面平行于第一电极平面所在平面，所述第一电极平面的表面形成有第一电极层；所述陶瓷基体的下表面边沿内侧设有截面呈圆弧形的第二凸条，所述第二凸条的内侧围有第二电极平面，所述第二凸条的外围形成有第二外围平面，所述第二外围平面平行于第二电极平面所在平面，所述第二电极平面的表面形成有第二电极层。本实用新型提高了陶瓷电容边沿电场分布的均匀性，提高了电容的耐压性能。

技术领域

本实用新型涉及陶瓷电容器制造技术领域，具体涉及一种环形凸台陶瓷电容器芯片。

背景技术

陶瓷电容器作为基本的无源元件，广泛应用于电源、家电、汽车等设备，起滤波、振荡、耦合的作用。随着电子元件的小型化发展趋势明显，业内已出现双凹形高压陶瓷电容器芯片结构，该结构通过在圆柱体的陶瓷基体的上下电极平面对称的制造出圆台形空缺形成，并在圆台形空缺的边沿形成环形凸，该结构可减少介质材料用量，实现小型化。但当前行业内制造高压陶瓷电容的普遍方式仍是烧渗法，已公开的双凹形结构印刷时因下凹深度过大，在采用丝网印刷时会出现印刷无法触及凹面，凹面不上膏的问题，而且由于凸条与陶瓷基体的侧面直接相接，导致在陶瓷基体边沿的电场高度集中，降低了陶瓷电容耐电压性能。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术存在之缺失，提供一种环形凸台陶瓷电容器芯片，其能使陶瓷电容边沿的电场分布更均匀，提高电容芯片的耐电压性能。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种环形凸台陶瓷电容器芯片，包括陶瓷基体，所述陶瓷基体的上表面边沿内侧设有截面呈圆弧形的第一凸条，所述第一凸条的内侧围有第一电极平面，所述第一凸条的外围形成有第一外围平面，所述第一外围平面与第一电极平面之间被第一凸条完全分隔，所述第一外围平面的外侧边与陶瓷基体的侧面上端相接，所述第一外围平面平行于第一电极平面所在平面，所述第一电极平面的表面形成有第一电极层；所述陶瓷基体的下表面边沿内侧设有截面呈圆弧形的第二凸条，所述第二凸条的内侧围有第二电极平面，所述第二凸条的外围形成有第二外围平面，所述第二外围平面与第二电极平面之间被第二凸条完全分隔，所述第二外围平面的外侧边与陶瓷基体的侧面下端相接，所述第二外围平面平行于第二电极平面所在平面，所述第二电极平面的表面形成有第二电极层。

作为一种优选方案，所述第一凸条、第一外围平面、第二凸条和第二外围平面的对称轴均与陶瓷基体的对称轴重合。

作为一种优选方案，所述第一电极平面所在平面高于第一外围平面所在平面，所述第二电极平面所在平面低于第二外围平面所在平面。

作为一种优选方案，所述第一电极平面所在平面与第一外围平面所在平面为同一平面，所述第二电极平面所在平面与第二外围平面所在平面为同一平面。

作为一种优选方案，所述第一电极平面所在平面低于第一外围平面所在平面，所述第二电极平面所在平面高于第二外围平面所在平面。

作为一种优选方案，所述第一凸条的最上端与第一电极平面所在平面的距离为0.05-0.20mm，所述第二凸条的最下端与第二电极平面所在平面的距离为0.05-0.20mm。

作为一种优选方案，所述第一外围平面的内侧边与第一电极平面的外侧边之间的距离为0.10-0.40mm，所述第二外围平面的内侧边与第二电极平面的外侧边之间的距离为0.10-0.40mm。

作为一种优选方案，所述第一外围平面的内侧边与外侧边之间的距离为0.05-0.20mm，所述第二外围平面的内侧边与外侧边之间的距离为0.05-0.20mm。

作为一种优选方案，所述陶瓷基体为圆柱形、方形或多边形。