[实用新型]一种可以改善RENA制绒滚轮印的滚轮有效
申请号: | 201920883235.8 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN209658222U | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 周守亮;陈绍光;苏世杰;刘大亮 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(合肥)有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 53113 昆明合众智信知识产权事务所 | 代理人: | 叶春娜<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自转套筒 滚轴 滚轮 卡扣 本实用新型 滚轮印 上滚轮 制绒 电池片表面 插销 电池外观 固定套筒 电池片 活动套 间隙槽 均匀性 制绒槽 偏移 嵌设 去除 限位 两边 改进 | ||
本实用新型公开了一种可以改善RENA制绒滚轮印的滚轮,包括滚轴和O型圈,所述滚轴上活动套设有自转套筒,所述自转套筒两端均固定连接有滚轮,所述O型圈嵌设于滚轮上;所述自转套筒和滚轴之间设置有间隙槽,所述自转套筒两侧的滚轴上均套设有弹性C字型卡扣,所述弹性C字型卡扣与自转套筒之间距离为0.2cm‑1cm。本实用新型通过对制绒槽上滚轮的改进,将固定套筒的插销去除,减轻在电池片上滚轮印的产生情况,并且在自转套筒两边0.2cm‑1cm的滚轴位置上用弹性C字型卡扣对自转套筒进行限位,使得自转套筒可以带着滚轮一起发生左右方向上的偏移,从而更好的减少了制绒过程中电池片表面产生的滚轮印,改善了电池外观和提高了绒面的均匀性。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池多晶制绒技术领域,具体为一种可以改善RENA制绒滚轮印的滚轮。
背景技术
在太阳能电池的生产工艺中,多晶制绒是太阳电池生产过程中的第一道工序,其目的是利用硝酸和氢氟酸的混合酸液对多晶硅片的各向同性腐蚀来对硅片表面进行织构化,以减少光的反射,硅片表面绒面可以有效的降低太阳能电池的表面反射率,它是影响太阳能电池光电转换效率的重要因素之一。
随着太阳电池的不断发展,业界对电池质量的要求也在不断的提高,不仅体现在电池电性能方面,同时对电池外观也有更高的要求。目前行业内采用的RENA多晶链式制绒设备制绒后的硅片表面有明显的滚轮印,滚轮印处的制绒表面腐蚀坑大小分布于正常表面有很大差异,从而导致镀膜后产生色差,影响外观和绒面均匀性,并且,在RENA多晶制绒设备中,由于链式反应的机台结构硅片在制绒槽中不可避免的与滚轮接触,由于硅片在反应过程中受到上下滚轮的挤压,经常导致制绒后硅片表面产生滚轮印,镀膜后产生外观色差和绒面不均匀影响效率。
一、现有技术中,普遍采用的是,在制绒槽的滚轴1上设有八个固定套筒20,如说明书附图1和附图2所示,在固定套筒20的两端嵌设有O型圈,固定套筒20和滚轴1中贯通开设有通孔5,固定套筒20的中心设有插销6,插销6将固定套筒20固定在滚轴1上,固定套筒20无法自转,在对电池片100滚压时滚轮印十分明显,制绒槽中前后滚轴1和固定套筒20都是平行对称排列的,因此受力点都在两条直线上,导致直线上的腐蚀速率的其它位置不一样从而产生两道非常显眼的滚轮印;
二、为了解决两道滚轮印的问题,现有申请号“201520247230.8”的一种多晶硅太阳能电池降低制绒后滚轮印的装置,它解决了现有制绒过程中碎片率高,绒面不均匀,电池片表面有滚轮印的问题,将原有制绒槽滚轴与硅片接触部位的线性改为三角形,但是其并不能减轻滚轮印的形成程度,只是使滚轮印的形成不再完全形成在两条直线上。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可以改善RENA制绒滚轮印的滚轮,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种可以改善RENA制绒滚轮印的滚轮,包括滚轴和O型圈,所述滚轴上活动套设有自转套筒,所述自转套筒两端均固定连接有滚轮,所述O型圈嵌设于滚轮上;
所述自转套筒和滚轴之间设置有间隙槽,所述自转套筒两侧的滚轴上均套设有弹性C字型卡扣,所述弹性C字型卡扣与自转套筒之间距离为0.2cm-1cm。
优选的,所述间隙槽中设置有缓冲间隔环,所述缓冲间隔环将间隙槽分成内隙和外隙,所述内隙设置在滚轴和缓冲间隔环之间,所述外隙设置在自转套筒和缓冲间隔环之间;
所述缓冲间隔环位于外隙一侧固定有三个限位套,所述限位套内设置有弹簧,所述限位套通过弹簧固定连接于自转套筒内侧壁上。
优选的,三个所述限位套呈等边三角形分布。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的