[实用新型]一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构有效

专利信息
申请号: 201920884185.5 申请日: 2019-06-13
公开(公告)号: CN210274700U 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 黄刚;吴均 申请(专利权)人: 深圳市一博科技股份有限公司
主分类号: H05K1/11 分类号: H05K1/11;G11C5/06
代理公司: 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 代理人: 田志远;袁浩华
地址: 518000 广东省深圳市南山区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 ddr 内存条 信号 质量 pcb 结构
【权利要求书】:

1.一种提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,包括PCB板,所述PCB板上设置有过孔以及走线,其特征在于,所述走线上设置有过孔连接走线,所述走线通过所述过孔连接走线与所述过孔连接,

所述过孔连接走线的宽度为所述走线的宽度的85%-95%,所述过孔连接走线的长度为所述过孔的长度的150%-250%。

2.根据权利要求1所述的提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,其特征在于,所述过孔连接走线的宽度为所述走线的宽度的90%,所述过孔连接走线的长度为所述过孔的长度的200%。

3.根据权利要求2所述的提高DDR内存条信号质量的PCB过孔结构,其特征在于,所述走线的宽度为5mil,所述过孔的长度为80mil,所述过孔连接走线的宽度为4.5mil,所述过孔走线的长度为160mil。

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