[实用新型]一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括底部同质结分布布拉格反射镜、下电流注入层、多量子阱有源层、隧道结、上电流注入层以及顶部同质结分布布拉格反射镜。

2.根据权利要求1所述的一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于只需一次外延生长即可完成包括底部同质结分布布拉格反射镜、下电流注入层、多量子阱有源层、隧道结、上电流注入层以及顶部同质结分布布拉格反射镜在内的GaN垂直腔面发射激光器完整外延结构，无需二次外延生长顶部分布布拉格反射镜结构，从而能够保证获得高质量的外延材料。

3.根据权利要求1所述的一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于，在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底(1)，该衬底用于在其上外延生长垂直腔面发射激光器各层材料；缓冲层(2)，为GaN材料，该缓冲层制作在衬底上，用于阻止衬底中缺陷的转移；底部同质结分布布拉格反射镜层(3)，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n⁺-GaN分布布拉格反射镜同质结材料；下电流注入层(4)，该层制作在底部分布布拉格反射镜层上；下势垒层(5)，为GaN材料，制作在下电流注入层上；有源区(6)，为多量子阱，该层制作在下势垒层上；隧道结(7)，该层制作在多量子阱层上，上电流注入层(8)，该层制作在隧道结上，上势垒层(9)，为GaN材料，制作在有源区上；顶部分布布拉格反射镜层(10)，为外延生长不同掺杂浓度的n型n-GaN/n⁺-GaN分布布拉格反射镜同质结材料，该分布布拉格反射镜层制作在上势垒层上；欧姆接触层(11)，为n⁺-GaN材料，该层制作在顶部分布布拉格反射镜层上。