[实用新型]一种晶圆后处理系统有效
申请号: | 201920898244.4 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN210325702U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 赵德文;李长坤;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆后 处理 系统 | ||
1.一种晶圆后处理系统,包括:
清洗槽,用于容纳清洗晶圆的清洗液;
晶圆提升装置,用于从所述清洗液中提升浸没于所述清洗液的晶圆;
所述晶圆提升装置包括:
第一移动机构,用于固定所述晶圆的位于所述清洗液中的下侧位置进行提升;
第二移动机构,用于在所述第一移动机构将所述晶圆提升至预设位置时,固定所述晶圆的位于所述清洗液液面以上的已经被清洗干燥的上侧位置继续提升直至所述晶圆脱离所述清洗液。
2.如权利要求1所述的晶圆后处理系统,其特征在于,还包括与所述晶圆提升装置连接的控制器;
在所述第二移动机构与所述晶圆固定之后,所述控制器控制所述第一移动机构松开所述晶圆。
3.如权利要求1所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述第一移动机构设有用于检测晶圆是否在位的在位检测模块。
4.如权利要求1所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述第一移动机构包括一容纳晶圆下侧的凹槽以及与所述凹槽连接的第一驱动件。
5.如权利要求1所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述第二移动机构设有用于检测是否夹紧晶圆的夹紧检测模块。
6.如权利要求1所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述第二移动机构包括第一夹持件、第二夹持件和第二驱动件,所述第二驱动件分别与所述第一夹持件和所述第二夹持件连接以同步驱动所述第一夹持件和所述第二夹持件相向或背向运动,所述第一夹持件和所述第二夹持件相对设置以用于夹持所述晶圆。
7.如权利要求1所述的晶圆后处理系统,其特征在于,还包括:
气体喷射装置,用于在所述晶圆从所述清洗液中提升的过程中,向所述晶圆表面喷射干燥气体,以干燥所述晶圆。
8.如权利要求7所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述气体喷射装置包括:
第一喷射机构,用于向所述晶圆的第一表面喷射所述干燥气体;
第二喷射机构,用于向所述晶圆的第二表面喷射所述干燥气体;
其中,所述第一表面和所述第二表面分别为所述晶圆的两个相对面。
9.如权利要求8所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述第一喷射机构和所述第二喷射机构均包括依次连接的气体喷射组件、旋转驱动模块和控制模块;
所述控制模块通过所述旋转驱动模块控制所述气体喷射组件旋转以将其喷射的所述干燥气体对准所述清洗液液面。
10.如权利要求9所述的晶圆后处理系统,其特征在于,所述气体喷射组件包括喷杆,所述喷杆上设置有喷气孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造