[实用新型]一种高晶体质量的外延结构

权利要求书

1.一种高晶体质量的外延结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底、AlN薄膜层、高温缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，所述AlN薄膜层的材料为AlN，所述高温缓冲层的材料为AlGaN或GaN。

2.如权利要求1所述的高晶体质量的外延结构，其特征在于，所述高温缓冲层在经过清洗的AlN薄膜层上形成。

3.如权利要求1所述的高晶体质量的外延结构，其特征在于，所述AlN薄膜层的厚度为5～50nm，所述高温缓冲层的厚度为5～100nm。

4.如权利要求1所述的高晶体质量的外延结构，其特征在于，所述多量子阱有源层包括相互间隔设置的至少一层垒层与至少一层阱层，所述阱层包括第一N-GaN层，设于所述第一N-GaN层上的电流均化层，以及设于所述电流均化层上的第二N-GaN层，所述电流均化层通过在GaN中掺杂电阻率＞2.4×10^-6Ω·cm的高电阻率材料形成。

5.如权利要求1所述的高晶体质量的外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为AlN或AlGaN，厚度为1～100nm。