[实用新型]一种高亮度的外延结构

权利要求书

1.一种高亮度的外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺氮化镓层、N型层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层，其特征在于，还包括N/P插入层，所述N/P插入层设置在多量子阱有源层和P型层之间，所述N/P插入层的材料为InAlGa、InAl或InGa，且为n/p掺杂。

2.如权利要求1所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述N/P插入层为单层结构或超晶格结构，厚度为1～100nm。

3.如权利要求2所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述N/P插入层的超晶格循环数至少为1个。

4.如权利要求1所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述N/P插入层的n/p掺杂为均匀掺杂、非均匀掺杂或脉冲掺杂。

5.如权利要求4所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述N/P插入层的n/p掺杂为n/p同时掺杂或n/p交替掺杂。

6.如权利要求1所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述N/P插入层设置在多量子阱有源层和电子阻挡层之间、或者设置在电子阻挡层和P型层之间。

7.如权利要求1所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述N/P插入层插入在电子阻挡层内。

8.如权利要求7所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN和AlN。

9.如权利要求1所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述多量子阱有源层包括相互间隔设置的至少一层垒层和至少一层阱层，所述垒层包括第一N-GaN层，设于所述第一N-GaN层上的电流均化层以及设于所述电流均化层上的第二N-GaN层。

10.如权利要求9所述的高亮度的外延结构，其特征在于，所述电流均化层通过在GaN中掺杂高电阻率材料形成，所述电流均化层的电阻率远大于第一N-GaN层和第二N-GaN层。