[实用新型]一种用于制备纳米材料的气相反应炉

说明书

本实用新型提出了一种用于制备纳米材料的气相反应炉，包括：炉体，炉体安装在炉体支架上，其特征在于：还包括供气系统、升降系统，供气系统设置在炉体的外侧并通过气管与炉体连通，炉体内设有上部导热板、导流均热板、炉腔、两个混气腔，炉体下部设有开口，上部导热板和两个导流均热板包裹在炉腔外部，混气腔位于导流均热板的外侧；在炉体下方还设有升降系统，升降系统上部设有升降台、炉门、下部导热板，炉门与炉体下部开口采用气密性结构密封。其有益效果是：本实用新型解决了小型CVD真空管式炉制备纳米材料面积小，生长不均匀的问题。

技术领域

本实用新型涉及纳米材料制备领域，特别是指一种用于制备纳米材料的气相反应炉。

背景技术

目前，化学气相CVD法是可控制备大面积纳米材料的一种有效方法，它的主要原理是利用平面金属或陶瓷作为基底，在高温环境中通入一定量的碳源前驱体，相互作用后在金属或陶瓷表面沉积而得到纳米材料。化学气相沉积CVD法以含碳的物质为碳源，在高温状态下使碳源分解，碳原子通过高温后的分解在金属或陶瓷基材表面进行再排列，生长出纳米材料。化学气相CVD法制备的纳米材料通常有较大的面积，较高的结构质量，缺陷少，并且层数可控。但是化学气相CVD法制备纳米材料基本停留在实验室阶段，使用小型的CVD真空管试炉进行制备，对基材的尺寸有所限制，而且由于基材在加热管中是单向通气，纳米材料的生长不均匀。

实用新型内容

本实用新型为解决现有技术中小型CVD真空管式炉制备纳米材料面积小，生长不均匀的问题，提出一种用于制备纳米材料的气相反应炉。

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种用于制备纳米材料的气相反应炉，其组成包括：炉体，所述炉体安装在炉体支架上，还包括供气系统、升降系统，所述供气系统设置在所述炉体的外侧并通过气管与所述炉体连通，所述炉体内设有上部导热板、导流均热板、炉腔、两个混气腔，所述炉体下部设有开口，所述上部导热板和两个所述导流均热板包裹在所述炉腔外部，所述混气腔位于所述导流均热板的外侧；在所述炉体下方还设有升降系统，所述升降系统上部设有升降台、炉门、下部导热板，所述炉门与所述炉体下部开口采用气密性结构密封。

两套所述供气系统通过气管分别于两个混气腔连通，在所述炉体的外侧还分别设有左侧排气孔和右侧排气孔，所述左侧排气孔和所述右侧排气孔也与所述混气腔连通。

在所述炉体内还设有若干加热装置，所述加热装置位于所述炉腔内壁的外侧，其下部穿过所述导流均热板插入到所述炉腔的中部。

所述导流均热板为中间设有凸起导流的多孔气体通过板。

本实用新型的有益效果是：

1.在形状、结构及其结合上，在炉腔内部加热装置的外部装有导流均热板、上部导热板、下部导热板，导热板可以使加热装置的点加热热源能过导热板的特殊材料性能，使热量均匀向物料传导，使物料受热更加均匀，反正更加完全；

2.在炉腔的两侧有两个锥形混气腔，当多路气体通过供气系统进入炉子后，在锥形的混气腔里进行预热混合，混合后的气体通过导流均热板上的细孔，使气体均匀的流向加热腔，与物料可以进行充分接触；

3.在炉体的两侧都有排气孔和进气孔，为了使物料能均匀进行气相沉积反应，在进行反应的时，前半程的反应时间从左进气孔进气，从右侧排气孔排气，后半程的反应调换进排气方向，从右侧进气孔进气，左侧排气孔排气，让反应气体充分与物料表面进行接触，避免出现反应沉积不均匀现象。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。