[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底的第二表面引出第二电极端；

外延层，位于所述半导体衬底的第一表面上；

基区，自所述外延层表面延伸至所述外延层中；

发射区，自所述基区表面延伸至所述基区中以引出第一电极端；

第一掺杂区，自所述外延层表面延伸至所述外延层中，所述第一掺杂区与所述基区被所述外延层分隔；

第二掺杂区，位于所述外延层中，分别与所述基区、所述第一掺杂区接触；以及

电导通路径，用于将所述第一掺杂区与所述外延层电连接，

其中，所述半导体衬底、所述外延层以及所述发射区的掺杂类型为第一掺杂类型，所述基区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电导通路径包括电连接结构，位于所述外延层上，并与所述第一掺杂区接触，以使所述第一掺杂区与所述外延层电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电导通路径还包括第三掺杂区，自所述外延层表面延伸至所述外延层中，

所述电连接结构与所述第三掺杂区接触，以使所述第一掺杂区依次通过所述电连接结构、所述第三掺杂区与所述外延层电连接，

其中，所述第三掺杂区为第一掺杂类型。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括第四掺杂区，自所述基区表面延伸至所述基区中，所述第四掺杂区至少位于所述发射区的一侧，所述第四掺杂区与所述发射区被所述基区分隔，

其中，所述第四掺杂区为第二掺杂类型。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括氧化层，位于所述外延层上，覆盖所述基区、至少部分所述第一掺杂区以及至少部分所述发射区，

其中，所述氧化层具有至少一个连接孔，所述第一电极端经由所述连接孔与所述发射区接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括划片区，所述划片区的位置与所述第三掺杂区对应，并暴露至少部分所述第三掺杂区。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述电导通路径以及所述基区组成恒流二极管，所述发射区、所述基区以及所述外延层组成三极管，所述恒流二极管的向所述三极管提供恒定的基极电流，所述三极管用于放大所述基极电流以产生所述半导体器件的输出电流。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区沿第一方向横向延伸预定长度，以分别与所述第一掺杂区、所述基区接触，

其中，所述预定长度与所述恒流二极管的击穿电压对应。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，多个所述第二掺杂区沿第二方向分布，所述外延层围绕每个所述第二掺杂区以使每个所述第二掺杂区分隔，

其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，并且所述第一方向、所述第二方向均与所述半导体器件的纵向方向垂直。

10.根据权利要求1-9任一所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区。

11.根据权利要求1-9任一所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区的掺杂计量范围包括1.0E11～3.0E12cm^-2。

12.根据权利要求1-9任一所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层的厚度范围包括3～50um。

13.根据权利要求1-9任一所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层的电阻率范围包括0.5～20ohm.cm。