[实用新型]一种TEM平面样品的定位裂片装置有效
申请号: | 201920904324.6 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN210154896U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 蔡齐航;谢亚珍;郭语柔 | 申请(专利权)人: | 宜特(上海)检测技术有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N23/04;G01N23/20025 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
地址: | 201103 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tem 平面 样品 定位 裂片 装置 | ||
本实用新型提供一种TEM平面样品的定位裂片装置,包括:承载平台;设于所述承载平台上的裂片针,沿待裂片材料的待裂片位置设置于所述待裂片材料的底部位置,所述待裂片材料上设有与所述待裂片位置在同一直线上的裂缝,且所述裂缝指向所述待裂片位置,通过所述裂缝快速定位所述裂片针的位置和方向,在裂片过程中,用手按压所述待裂片位置的两侧,所述裂缝自然沿着所述待裂片位置继续分裂。本实用新型结构简单,操作方便,能够快速且精准的定位裂片,且保证待裂片位置处的裂缝光滑平直,裂片质量好、效率高。
技术领域
本实用新型涉及光电材料的裂片技术领域,特别是涉及一种TEM平面样品的定位裂片装置。
背景技术
若光电材料经失效分析检测有漏电异常,那很有可能是因光电材料内部存在结构缺陷所致,对于这种情况,需要对该光电材料的结构缺陷部位做进一步观察分析。通常缺陷部位的尺寸比较小,而SEM(扫描式电子显微镜)的分辨率又较低,所以通常采用分辨率较高的TEM(透射电子显微镜)来对缺陷部位做进一步的观察和分析,而TEM平面样品需经过DB-FIB(双束聚焦离子束)制备后才能进行分析。在TEM平面样品制作过程中,由于光电材料晶圆较大,无法放置于DB-FIB机台,需要对光电材料进行裂片。
传统的对光电材料的裂片方式是:1、采用裂片刀的方式,首先按照待裂片位置划下切割线,再采用裂片刀沿着切割线进行裂片。这种方法无法很好的控制裂片刀的操作轨迹,容易造成实际的切割方向与切割线偏差,而且对于尺寸小的结构缺陷部位,无法通过肉眼观察到,导致裂片时无法精确定位,裂片效率较低;2、采用激光裂片方式,通过电子显微镜确定待裂片材料的待裂片位置,并通过设于电子显微镜上的激光装置对待裂片位置进行激光照射,以击穿待裂片材料,该方法可以精确定位,但是激光照射击穿形成的裂缝比较粗糙,不够光滑,影响样品的质量。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种可以精确定位裂片且能够形成光滑裂缝定位裂片装置。
为实现上述目的,本实用新型具体通过以下述技术方案来实现:一种TEM平面样品的定位裂片装置,包括:
承载平台;
设于所述承载平台上的裂片针,沿待裂片材料的待裂片位置设置于所述待裂片材料的底部位置。
采用上述结构,在裂片时,对待裂片材料上的待裂片位置两侧施加向下(即朝向承载平台)的力,裂片针受到挤压将抵顶待裂片材料,使待裂片位置处的应力发生改变,进而使待裂片材料沿着待裂片位置分裂开来,实现精确定位裂片的目的。
本实用新型一种TEM平面样品的定位裂片装置的进一步改进在于,所述待裂片材料上设有裂缝,所述待裂片位置为所述裂缝的端部到与所述端部正对的所述待裂片材料的边缘的距离。
通过上述改进,在按压待裂片位置两侧时,裂缝自然沿着待裂片位置继续分裂,使按压更加轻松省力,且于待裂片位置处形成的裂缝更加光滑平直。
本实用新型一种TEM平面样品的定位裂片装置的进一步改进在于,所述裂缝由激光照射击穿形成。
采用激光照射的方式预先形成裂缝,保证了裂缝位置的准确性。
本实用新型一种TEM平面样品的定位裂片装置的进一步改进在于,所述待裂片材料上对应于所述裂缝的位置处设有标记。
通过标记的设置,使操作人员肉眼即可快速找到裂缝,即快速找到待裂片位置,便于快速且准确的放置裂片针。
本实用新型一种TEM平面样品的定位裂片装置的进一步改进在于,所述裂片针的截面呈三角形,且所述三角形的顶端与所述待裂片材料的底部接触。
通过上述裂片针形状的改进,使裂片针与待裂片材料的接触面积更窄,在按压待裂片材料时,待裂片材料上与裂片针接触的位置所受到的应力更加集中,进而使裂片定位更加精确,裂片过程更加轻松方便。
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