[实用新型]一种可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系有效
| 申请号： | 201920910699.3 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN210620237U | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 吴绍龙;肖臣鸿;周忠源;李刘晶;丁浩;李孝峰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B3/04 | 分类号： | C01B3/04;H01G9/20 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 完全 光解 内嵌硅 pn 氧化铁 阳极 体系 | ||
【权利要求书】：
1.一种可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系，所述的光阳极为复合层式结构，其特征在于：沿着光入射方向依次包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层，所述的透明导电隧穿层为掺铌的氧化锡。
2.根据权利要求1所述的可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系，其特征在于：所述的透明导电隧穿层厚度处处相等。
3.根据权利要求1或2所述的可完全光解水的内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系，其特征在于：氧化铁层的厚度为50～150nm，基底厚度为200～600μm，透明导电隧穿层厚度为10～50nm。
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