[实用新型]一种等离子体CVD装置有效
申请号: | 201920910976.0 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN210657131U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 洪丽;赵月;公占飞 | 申请(专利权)人: | 湖上产业发展集团有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 cvd 装置 | ||
1.一种等离子体CVD装置,设置在机架(1)上,其特征是,所述机架的工作平台(2)上固定有一个圆筒状的腔体(3),腔体的顶部设有用于将微波导入腔体内的微波转换器(4),所述微波转换器包括一伸入腔体的内导体(5),内导体的下方设有用于密封腔体上部的密封介质板(6),密封介质板下方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道(7),环形进气道通过环绕腔体布置的进气孔(8)与腔体连通,腔体中部的外周设有若干观察窗(9),腔体的下部设有开口,开口处设有腔体法兰(10),腔体法兰上方的腔体外壁上设有环绕腔体的环形抽气道(11),环形抽气道通过环绕腔体布置的抽气孔(12)与腔体连通,腔体的外壁上设有水冷机构,机架上设有升降机构,升降机构包括一升降台(13)及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰(14),升降台与升降法兰之间设有缓冲机构,用于安置基材的腔内台(15)通过支撑管固定在升降台上,腔内台为中空结构,升降机构上设有腔内台高度微调装置,腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应,腔内台的下部设有防泄漏装置,升降台升起时,腔内台位于腔体中部,升降法兰与腔体法兰抵接并密封腔体,升降台降下时,腔内台通过开口移出腔体外。
2.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置,其特征在于,密封介质板上方设有隔离法兰(16),隔离法兰上设有介质窗板(17),介质窗板的中央设有窗孔(18),窗孔的直径是内导体直径的3.5-5.5倍,隔离法兰的外周设有散热孔(19),散热孔的直径小于微波波长的二十分之一,密封介质板的上下两面都设有密封圈(20)。
3.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置,其特征在于,水冷机构包括设置在密封介质板与环形进气道之间的环形冷却腔(21)、设置在介质窗板上方及环形进气道下方的筒形冷却腔(22);环形冷却腔的进水口与出水口并列设置且两者之间设有隔板;筒形冷却腔的进水口位于筒形冷却腔的下部,出水口位于筒形冷却腔的上部。
4.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置,其特征在于,腔内台的中空结构底部设有开口,开口处连接所述的支撑管,所述支撑管包括同轴设置的外管(23)及内管(24),外管的顶端固定在腔内台底部的开口处,内管的顶端靠近腔内台的中空结构顶部且外周设有向外延伸的扩水板(25),内管的下端设有进水口,外管的下端设有出水口。
5.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置,其特征在于,腔体为上小下大的三段式阶梯形结构,所述的内导体与密封介质板位于腔体的上段,进气孔及观察窗位于腔体的中段,所述的抽气孔位于腔体的下段,腔体的中段内壁与下段内壁之间采用锥形面过渡。
6.根据权利要求5所述的等离子体CVD装置,其特征在于,所述的腔内台为上小下大的阶梯结构,包括位于顶端的顶板(26)及位于顶板下方的基座(27),基座的外径与腔体中段的内径相适配,基座上部与顶板的连接处设有缩径部(28),防泄漏装置包括设置在基座中部外周且下端开口的微波吸收环腔(29),基座的下部外周设有环形槽,环形槽内设有防止微波泄漏的簧片(30),升降台升起时,簧片与腔体的中段下部内壁抵接。
7.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置,其特征在于,升降机构包括竖直设置在机架上的导轨(31),导轨上设有升降座(32),所述的升降台固定在升降座上,升降座上设有丝杆螺套(33),丝杆螺套与竖直设置的升降丝杆(34)螺接,升降丝杆的下端通过联轴器(35)与固定在机架上的电机(36)连接,丝杆的上端枢接在机架的工作平台上。
8.根据权利要求1所述的等离子体CVD装置,其特征在于,缓冲机构包括固定在升降法兰底面的3-4根导柱(37),导柱上套设有弹簧(38),升降台上设有与导柱对应的导套(39),导柱穿过所述的导套,其下端固定在升降台下方设置的上固定环(40)上,升降法兰上设有密封圈。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的