[实用新型]一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线

说明书

本实用新型涉及集成电路装备制造技术造领域，尤其涉及一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线。本实用新型提供的交接装置包括本体以及片叉，本体能带动片叉运动，且片叉能相对本体转动。如果待处理面朝下放置，通过片叉的转动，也能够将待处理面朝上放置于待放置工位。本实用新型中的半导体设备和半导体生产线无需额外设置翻转装置，使得半导体设备或者半导体生产线中的装置较少，节省空间，且操作简单。

技术领域

本实用新型涉及集成电路装备制造技术造领域，尤其涉及一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线。

背景技术

半导体器件通过激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构，激光退火相对于传统退火具有激活率高、对器件损伤小等优点。一种常用的半导体器件为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)模块，IGBT模块的前道硅片需要进行激光退火，硅片的正面含金属层，硅片的背面作离子注入或其它掺杂操作等，硅片的背面需要退火，因此，提供给半导体生产线的硅片需要背面朝上放置。

为了实现硅片在不同工位间的传输，通常设置交接装置。交接装置将位于片盒中的硅片传输到退火工位处进行退火工艺，现有交接装置的片叉只能吸附片盒中硅片朝上的一面，交接装置再将吸附的硅片放置到退火工位，退火工位对硅片朝上的一面进行退火工艺。如果片盒提供的硅片的正面朝上，仅利用交接装置，只能实现将硅片以其正面朝上的状态放置到退火工位上，无法实现对硅片背面的退火。如果想要实现硅片背面的退火，需要增加单独的翻转装置，交接装置从片盒中取拿正面朝上的硅片后，将正面朝上的硅片传输到翻转装置处，翻转装置对硅片进行翻转，使硅片的背面朝上，交接装置再将背面朝上的硅片传输到退火工位，导致半导体生产线中设备较多，占地较大，且操作复杂。

实用新型内容

本实用新型的第一个目的是提出一种交接装置，无需额外单独设置翻转装置便能实现硅片的传输和翻转，操作简单，生产线上设备少，占地小。

本实用新型的第二个目的是提出一种半导体设备，无需额外单独设置翻转装置便能实现硅片的传输和翻转，操作简单，生产线上设备少，占地小。

本实用新型的第三个目的是提出一种半导体生产线，无需额外单独设置翻转装置便能实现硅片的传输和翻转，操作简单，生产线上设备少，占地小。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种交接装置，包括本体以及片叉，所述本体能带动所述片叉运动，所述片叉被配置为吸附工件，所述片叉能相对所述本体转动。

可选地，所述片叉的转轴与待放置工位的上表面平行。

可选地，所述片叉上设置有吸附组件，所述吸附组件被配置为吸附所述工件，所述吸附组件的吸附面与所述工件的表面相贴合。

一种半导体设备，包括如上所述交接装置。

可选地，所述工件包括沿竖直方向设置的键合层和硅片层，至少部分所述硅片层从所述键合层的一侧伸出，所述半导体设备还包括：

旋转台，被配置为放置所述工件；以及

检测装置，设置于所述旋转台的上方，且被配置为采集所述硅片层的边缘信息。

一种半导体生产线，包括如上所述的半导体设备。

一种交接方法，应用于如上所述的交接装置，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：所述片叉旋转至所述工件的待处理面的一侧，并吸附所述待处理面；

步骤2：所述本体带动所述片叉运动，使所述待处理面朝上放置于待放置工位。

可选地，所述待放置工位为工件台、预对准台或片盒。