[实用新型]电磁屏蔽膜有效
申请号: | 201920918525.1 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN210986878U | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 张晟 | 申请(专利权)人: | 昇印光电(昆山)股份有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁 屏蔽 | ||
本实用新型公开一种电磁屏蔽膜,其包括承载层、第一导电层和第二导电层;第一导电层具有第一导电网格,所述第一导电网格包括网格状第一沟槽及填充于所述第一沟槽内的第一导电材料;所述第二导电层具有第二导电网格,所述第二导电网格包括网格状第二沟槽及填充于所述第二沟槽内的第二导电材料;其中所述第一沟槽的深宽比大于等于2,所述第二沟槽的深宽比大于等于2;所述第一导电材料不同于所述第二导电材料,所述第一导电网格与所述第二导电网格在平行于所述承载层的投影面上不完全重叠。不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段,从而加长了电磁屏蔽膜的屏蔽波段,更能满足市场需求。
技术领域
本实用新型涉及电子技术,更具体地讲,本实用新型涉及一种电磁屏蔽膜。
背景技术
近年来,伴随着信息化社会的快速发展,与信息相关联的电子设备急速发展,对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器等的电磁屏蔽要求越来越高。然而,现有的电磁屏蔽膜的屏蔽波段窄,随着电磁干扰技术的不断更新,容易被干扰信号击透而失去屏蔽效果。
鉴于此,本实用新型通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。
本实用新型的一个技术方案是:
一种电磁屏蔽膜,其包括:
承载层,其包括相对设置的第一侧面和第二侧面;
第一导电层,位于所述第一侧面,所述第一导电层具有第一导电网格,所述第一导电网格包括网格状第一沟槽及填充于所述第一沟槽内的第一导电材料;
第二导电层,层叠于所述第一导电层远离所述承载层的一侧或位于所述第二侧面,所述第二导电层具有第二导电网格,所述第二导电网格包括网格状第二沟槽及填充于所述第二沟槽内的第二导电材料;
其中所述第一沟槽的深宽比大于等于2,所述第二沟槽的深宽比大于等于2;所述第一导电材料不同于所述第二导电材料,所述第一导电网格与所述第二导电网格在平行于所述承载层的投影面上不完全重叠。
在其中一实施例中,所述第一导电网格为随机网格,所述第二导电网格为随机网格,所述第一导电网格和所述第二导电网格在投影面上不重叠。
在其中一实施例中,所述第一导电网格包括复数圆形格或椭圆形格,所述第二导电网格包括复数圆形格或椭圆形格。
在其中一实施例中,所述第一导电材料与所述第二导电材料的种类和/或含量不同。
在其中一实施例中,所述第一导电网格与所述第二导电网格的平均孔径不同。
在其中一实施例中,所述第一沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形,所述第二沟槽的截面形状为矩形、倒梯形或三角形。
在其中一实施例中,所述第一沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁,所述第二沟槽的侧壁为倾斜弧形侧壁。
在其中一实施例中,所述第一导电材料在所述第一沟槽的填充深度不超过所述第一沟槽深度的4/5;所述第二导电材料在所述第二沟槽的填充深度不超过所述第二沟槽深度的4/5。
在其中一实施例中,所述第一沟槽的深宽比大于等于3,所述第二沟槽的深宽比大于等于3。
在其中一实施例中,所述承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材。
本实用新型的有益效果:第一导电层的第一导电材料不同于第二导电层的第二导电材料,不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段,从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段,更能满足市场需求。
附图说明
图1为本实用新型电磁屏蔽膜的截面示意图;
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