[实用新型]一种新型超低频高压发生器

权利要求书

1.一种新型超低频高压发生器，其特征在于：包括超低频高压发生控制器、第一升压器T1、第二升压器T2、高压电子开关、正极性全波整流电路、负极性全波整流电路和换向开关；所述高压电子开关设有十二个，分别为第一高压电子开关K1至第十二高压电子开关K12；所述第一升压器T1初级线圈的两端和所述第二升压器T2初级线圈的两端均分别与所述超低频高压发生控制器输出端连接；所述第一升压器T1次级线圈的第一端通过第一高压电子开关K1连接在所述第二升压器T2次级线圈的第二端上，所述第一升压器T1次级线圈的第二端通过第二高压电子开关K2接地；所述第一升压器T1次级线圈的第一端还通过第三高压电子开关K3连接在所述正极性全波整流电路的一个输入端上，所述第一升压器T1次级线圈的第二端还通过第四高压电子开关K4连接在所述正极性全波整流电路的另一个输入端上；所述第二升压器T2次级线圈的第一端通过第五高压电子开关K5用于连接待测产品的一端，所述待测产品的另一端通过第六高压电子开关K6接地；所述第二升压器T2次级线圈的第一端还通过第七高压电子开关K7连接在负极性全波整流电路的一个输入端上，所述第二升压器T2次级线圈的第二端还通过第八高压电子开关K8连接在所述负极性全波整流电路的另一个输入端上；所述正极性全波整流电路的输出端通过第九高压电子开关K9连接在所述换向开关的输入端上，所述负极性全波整流电路的输出端通过第十高压电子开关K10连接在所述换向开关的输入端上，所述换向开关一个输出端通过第十一高压电子开关K11连接在所述待测产品的一端上，所述换向开关另一个输出端通过第十二高压电子开关K12连接在所述待测产品的另一端上；第一高压电子开关K1至第十二高压电子开关K12还均与所述超低频高压发生控制器连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型超低频高压发生器，其特征在于：第一高压电子开关K1至第十二高压电子开关K12均为光控IGBT高压电子开关。

3.根据权利要求1或2所述的一种新型超低频高压发生器，其特征在于：正极性全波整流电路包括第一保护电阻R1，第二保护电阻R2、第一高压电容C1、第二高压电容C2、第一高压硅堆D1、第二高压硅堆D2和第一限流电阻R3；所述第一保护电阻R1的一端通过第三高压电子开关K3连接在所述第一升压器次级线圈的第一端上，所述第一保护电阻R1的另一端连接在所述第一高压电容C1的一端上，所述第一高压电容C1的另一端连接在所述第一高压硅堆D1的正极上，所述第一高压电容C1的另一端还连接在所述第二高压硅堆D2的负极上，所述第一高压硅堆D1的负极和第二高压硅堆D2的正极之间串联有所述第二保护电阻R2和所述第二高压电容C2，所述第二高压硅堆D2的正极还通过第四高压电子开关K4连接在所述第一升压器次级线圈的第二端上，所述第一高压硅堆D1的负极还连接在所述第一限流电阻R3的一端上，所述第一限流电阻R3的另一端通过第九高压电子开关K9连接在所述换向开关的输入端上。

4.根据权利要求3所述的一种新型超低频高压发生器，其特征在于：所述负极性全波整流电路包括第三保护电阻R4，第四保护电阻R5、第三高压电容C3、第四高压电容C4、第三高压硅堆D3、第四高压硅堆D4和第二限流电阻R6；所述第三保护电阻R4的一端通过第七高压电子开关K7连接在所述第一升压器次级线圈的第一端上，所述第三保护电阻R4的另一端连接在所述第三高压电容C3的一端上，所述第三高压电容C3的另一端连接在所述第三高压硅堆D3的负极上，所述第三高压电容C3的另一端还连接在所述第四高压硅堆D4的正极上，所述第四高压硅堆D4的负极和第三高压硅堆D3的正极之间串联有所述第四保护电阻R5和所述第四高压电容C4，所述第四高压硅堆D4的负极还通过第八高压电子开关K8连接在所述第一升压器次级线圈的第二端上，所述第三高压硅堆D3的正极还连接在所述第二限流电阻R6的一端上，所述第二限流电阻R6的另一端通过第十高压电子开关K10连接在所述换向开关的输入端上。

5.根据权利要求4所述的一种新型超低频高压发生器，其特征在于：所述换向开关包括第一绝缘栅双极性晶体管IGBT1、第二绝缘栅双极性晶体管IGBT2、第五高压硅堆D5和第六高压硅堆D6；所述第一绝缘栅双极性晶体管IGBT1的基极和第二绝缘栅双极性晶体管IGBT2的基极均分别连接在所述超低频高压发生控制器上，所述第一绝缘栅双极性晶体管IGBT1的集电极通过第九高压电子开关K9连接在所述第一限流电阻R3的另一端上，所述第一绝缘栅双极性晶体管IGBT1的集电极通过第十高压电子开关K10连接在所述第二限流电阻R6的另一端上，所述第二绝缘栅双极性晶体管IGBT2的发射极通过第九高压电子开关K9连接在所述第一限流电阻R3的另一端上，所述第二绝缘栅双极性晶体管IGBT2的发射极通过第十高压电子开关K10连接在所述第二限流电阻R6的另一端上，所述第一绝缘栅双极性晶体管IGBT1的发射极连接在所述第五高压硅堆D5的负极上，所述第二绝缘栅双极性晶体管IGBT2的集电极连接在所述第六高压硅堆D6的正极上，所述第一绝缘栅双极性晶体管IGBT1的集电极和所述第二绝缘栅双极性晶体管IGBT2的发射极均通过第十一高压电子开关K11连接在所述待测产品的一端上，所述第五高压硅堆D5的正极和所述第六高压硅堆D6的负极均通过第十二高压电子开关K12连接在所述待测产品的一端上。