[实用新型]一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管

权利要求书

1.一种基于二维Ga₂S₃纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：自下至上依次包括柔性衬底（1）和二维Ga₂S₃纳米片层（2），且所述二维Ga₂S₃纳米片层（2）的上方设有源电极（3）、漏电极（5）和栅电极（4），栅电极（4）设置在源电极（3）和漏电极（5）之间。

2.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述柔性衬底（1）的厚度为250~300 nm。

3.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述柔性衬底（1）选自PET、PDMS或ITO。

4.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述二维Ga₂S₃纳米片层（2）的厚度为5~7 nm，层数为1~3层。

5.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述源电极（3）和漏电极（5）均包括自下而上依次层叠的Ti金属层和Au金属层。

6.根据权利要求5所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述Ti金属层的厚度为20~30 nm，Au金属层的厚度为60~80 nm。

7.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述源电极（3）和漏电极（5）尺寸相同，且长为80~100 nm，宽为60~80 nm，二者间距为300~360 nm。

8.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述栅电极（4）包括自下而上依次层叠的Ni金属层和Au金属层，Ni金属层的厚度为40~50 nm，Au金属层的厚度为80~100 nm。

9.根据权利要求1所述的可弯曲式场效应光电晶体管，其特征在于：所述栅电极（4）的长为80~100 nm，宽为60~80 nm。