[实用新型]一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器有效
| 申请号： | 201920930316.9 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN210092100U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李国强;郑昱林;王文樑;粱敬晗 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;隆翔鹰 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 模板 algan 纳米 msm 紫外 探测器 | ||
1.一种基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，包括由下至上的衬底（1）、石墨烯模板层（2）、AlGaN纳米柱（3）、与AlGaN纳米柱形成肖特基接触的Ni第一金属层（5）和Au第二金属层（6），还包括填充AlGaN纳米柱中的Si3N4绝缘层（4），且Ni第一金属层（5）和Au第二金属层（6）作为电极材料组成叉指电极。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述衬底（1）为蓝宝石、Si或La0.3Sr1.7AlTaO6衬底。
3.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述衬底（1）的厚度为420~430 μm。
4.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述石墨烯模板层（2）的层数为1~3层，厚度为3~5 nm。
5.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述AlGaN纳米柱（3）长度为300~500 nm，直径为100~200 nm。
6.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述Ni第一金属层（5）的厚度为40~50 nm。
7.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述Au第二金属层（6）的厚度为100~150 nm。
8.根据权利要求1所述的基于石墨烯模板上AlGaN纳米柱基MSM型紫外探测器，其特征在于，所述叉指电极的长度为280~340 μm，宽度为10~15 μm，电极间距为10~15 μm，对数为12~20对。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
