[实用新型]一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构

权利要求书

1.一种应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，芯片过温保护结构，包括：

芯片；

温度检测组件，安装于所述芯片表面的温度检测部件，用于检测所述芯片的工作温度；

三极管特性过温保护电路，设置在所述芯片的一侧，用于测控所述芯片的过温保护；

比较器，设置在所述芯片与所述三极管特性过温保护电路之间，并与所述芯片与所述三极管特性过温保护电路连接，所述比较器包括正输入端，负输入端，输出端。

2.如权利要求1所述的应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，所述温度检测组件包括通过绝缘胶固定安装于所述芯片表面的温感电阻，其在不同温度下呈现不同的阻值；

与所述温感电阻相连的传感器，用于检测所述温感电阻的阻值，据此确定所述芯片的工作温度，并将所确定的工作温度值传输给所述三极管特性过温保护电路。

3.如权利要求2所述的应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，所述传感器底部固定有绝热膜，所述传感器和所述绝热膜通过绝缘胶粘贴于所述芯片表面。

4.如权利要求1所述的应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，所述三极管特性过温保护电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、电容C1、电容C2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第一NPN晶体管Q1、第二NPN晶体管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和输出整形电路。

5.如权利要求4所述的应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，所述第一PMOS管MP1的漏极与所述第二PMOS管MP2的源极连接，所述第一PMOS管MP1的栅极与所述第二PMOS管MP2的栅极相连，并与所述第二PMOS管MP2的漏极连接，所述第二PMOS管MP2的栅极与第二PMOS管MP2的漏极相连接，所述电容C2的正极与所述第二PMOS管MP2的栅极连接，所述电容C2的负极分别与第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的栅极，第一NPN晶体管Q1的基极和第二NPN晶体管Q2的基极连接，且第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的栅极相互连接，所述第一NPN晶体管Q1的基极和第二NPN晶体管Q2的基极连接，所述电容C1与电容C2相互并联，所述第二PMOS管MP2的漏极与所述第一NMOS管MN1的源极连接，所述第一NMOS管MN1的漏极与电阻R1的一端连接，所述第二NMOS管MN2的源极分别与第二NMOS管MN2的栅极相连接，所述第二NPN晶体管Q2的集电极与第二NPN晶体管Q2基极、第二NMOS管MN2的漏极相连，所述第一PMOS管MP1的栅极、所述第二PMOS管MP2的栅极和所述第二NMOS管MN2的源极均与所述输出整形电路的一端连接，所述输出整形电路的另一端分别与相互串联的电阻R2、电阻R3以及芯片和比较器相连，所述第一PMOS管MP1的源极与电源电压VCC相连，所述电阻R1、电阻R3的另一端以及第二NPN晶体管Q2发射极均接地电位。

6.如权利要求4或5所述的应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，所述比较器为迟滞比较器，输出端输出过温保护信号，所述第一NPN晶体管Q1、第二NPN晶体管Q2为控制开关管，其导通压降V_BE具有负温度系数。

7.如权利要求5所述的应用三极管温度特性来进行芯片过温保护的结构，其特征在于，所述输出整形电路包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6，所述第三PMOS管MP3的栅极分别与所述第一PMOS管MP1的栅极和第一PMOS管MP2的漏极连接，并与所述第五PMOS管MP5栅极连接，所述第一PMOS管MP4的栅极分别与所述第一PMOS管MP4的栅极和第一PMOS管MP2的漏极连接，并与所述第一PMOS管MP4栅极连接，所述第三PMOS管MP3的漏极与第四PMOS管MP4的源极连接，所述第四PMOS管MP4的漏极分别与所述第二NMOS管MN2的源极和栅极连接，所述第五PMOS管MP5的漏极与第六PMOS管MP6的源极连接，所述第六PMOS管MP6的漏极连接分别与比较器的负输入端、电阻R2的一端连接，所述第五PMOS管MP5的源极与芯片连接。