[实用新型]一种半导体晶片有效
| 申请号： | 201920942290.X | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN210429736U | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 廖彬;周铁军;刘留;马金峰;宾启雄 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶片，包括位于所述半导体晶片的侧壁上的主参照面和圆弧面，其特征在于，所述主参照面与所述圆弧面的边连接处设置有倒角，
所述主参照面的一端与所述圆弧面的边连接处设置有倒角，所述倒角为R1-R50；
或者，
所述主参照面的两端与所述圆弧面的边连接处设置有倒角，所述倒角为R1-R50，
所述主参照面的一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角，与所述主参照面的另一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角相同，或者，所述主参照面的一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角，与所述主参照面的另一端与所述圆弧面的边连接处设置的倒角不同；
半导体晶片的材质为砷化镓，或者，其材质为磷化铟，或者，其材质为锗。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，所述主参照面的长度为17±1mm，或者22±1mm，或者32.5mm±1mm，或者48±2mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
