[实用新型]一种低温陶瓷电解质支撑型氮氧化物传感器芯片

权利要求书

1.一种低温陶瓷电解质支撑型氮氧化物传感器芯片，其特征是包括正工作电极引线、工作电极层、电解质层、参考电极层和负参考电极引线，所述参考电极层位于电解质层下方，参考电极层的上表面与电解质层的下表面连接为一体，工作电极层位于电解质层上方，工作电极层的下表面与电解质层的上表面连接为一体，所述电解质层作为整个传感器芯片的支撑体，所述正工作电极引线嵌装在工作电极层的上表面内，正工作电极引线与工作电极层形成一个整体，所述负参考电极引线嵌装在参考电极层的下表面内，负参考电极引线与参考电极层形成一个整体，所述工作电极层为多孔的铋锶共掺杂锰酸镧(La0.7Bi0.1Sr0.2)0.98MnO3陶瓷电极层，电解质层为致密的氧化铒稳定氧化铋Bi1.6Er0.4O3低温陶瓷电解质层，参考电极层为多孔的氧化铒稳定氧化铋电解质铋锶共掺杂锰酸镧(La0.7Bi0.1Sr0.2)0.98MnO3-Bi1.6Er0.4O3复合陶瓷电极层。

2.根据权利要求1所述的一种低温陶瓷电解质支撑型氮氧化物传感器芯片，其特征在于所述工作电极层与参考电极层的上下表面面积相等，工作电极层的厚度小于参考电极层的厚度。

3.根据权利要求1所述的一种低温陶瓷电解质支撑型氮氧化物传感器芯片，其特征在于所述正工作电极引线和负参考电极引线都有银丝制成。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种低温陶瓷电解质支撑型氮氧化物传感器芯片，其特征在于所述工作电极层的厚度为2um～10um,电解质层的厚度为300um～600um，参考电极层的厚度为100um～200um，正工作电极引线和负参考电极引线的直径为200um～500um。