[实用新型]光学挡墙结构有效
申请号: | 201920950088.1 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN209963020U | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 李蕙如 | 申请(专利权)人: | 培英半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/308;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/12;H01L31/18 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭化雨 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挡墙层 开窗 基板 本实用新型 挡墙结构 裸露 | ||
本实用新型提供一种光学挡墙结构,其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层,基板具有一工作面,第一挡墙层形成于工作面上,且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗;第二挡墙层形成于第一挡墙层上,且第二挡墙层围构一第二开窗,第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层,且第二开窗的轮廓大于第一开窗。
技术领域
本实用新型是有关于一种光电机构的结构,特别是关于一种在光电机构上形成挡墙的结构。
背景技术
现有的光传感器包括一发光单元及一感光单元,发光单元所发射的光线被侦测物反射后,可由感光单元接收并输出一感测信号。为了避免发光单元所发出的光线直接传递到感光单元,现有的光传感器会在发光单元与感光单元之间设置挡墙,让发光单元只在预定的方向发出光线,并让感光单元只感测来自预定方向的光线,因此增加光传感器的可靠度。
现有光传感器的挡墙多是通过射出成型(injection molding)等模塑方式来形成,但此制程有其不足在于:(1)易有溢胶问题,因而降低良率;(2)易因模塑偏移(moldshift)而影响精度,且不利小型化;(3)需针对不同挡墙造型分别制作模具,因而增加成本。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的主要目的在于提供一种可提高精度并降低成本的光电机构制程。
为了达成上述及其他目的,本实用新型提供一种光学挡墙结构,其包括一基板、一第一挡墙层及一第二挡墙层,基板具有一工作面,第一挡墙层形成于工作面上,且第一挡墙层围构一裸露工作面的第一开窗;第二挡墙层形成于第一挡墙层上,且第二挡墙层围构一第二开窗,第二挡墙层的横截面积小于第一挡墙层,且第二开窗的轮廓大于第一开窗。
经由上述方法所形成的挡墙精度高,加工成本得以下降,且光电机构的电路设计自由度得以提高,即便修改开窗位置或形状,也不须如先前技术般重新制作或修改模具。并且,通过多次光固化一次蚀刻的方法,能够使多层挡墙层具有不同的轮廓,也能提升整体挡墙层的厚度,因此大幅提高设计自由度。
有关本实用新型的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1至图12为本实用新型第一实施例的制作方法示意图;
图13为本实用新型光学挡墙结构的另一实施例。
符号说明
10 基板 11 工作面
20 第一挡墙膜 20A 第一挡墙层
21 第一挡墙区 22 第一非挡墙区
30 第一光罩 40 第二挡墙膜
40A 第二挡墙层 41 第二挡墙区
42 第二非挡墙区 50 第二光罩
60 开窗 601 第一开窗
602 第二开窗 603 第三开窗
70 光电单元 80 胶体
90A 第三挡墙层
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造