[实用新型]太阳能电池有效
申请号: | 201920953933.0 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN210200742U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 刘继宇;李华 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 赵松杰 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
本申请公开了一种太阳能电池,包括硅基底、以及形成在所述硅基底上的栅线电极;所述栅线电极包括:第一金属层,直接形成于所述硅基底上,所述第一金属层含有钴原子;第二金属层,层叠于所述第一金属层上,所述第二金属层含有铜原子。本申请可以有效阻挡铜原子进入硅基底中,从而避免形成复合中心。
技术领域
本实用新型一般涉及光伏领域,具体涉及光伏发电领域,尤其涉及一种太阳能电池。
背景技术
太阳能电池成本的降低主要依赖于电池效率的提高和电池制造材料成本的降低。近年来,对于太阳能电池领域的银浆替代品的需求与日俱增,铜的价格仅相当于白银的近百分之一,因此将银电极替换为铜电极,可以极大的降低太阳能电池的材料成本。
由于铜很容易扩散到硅中,在硅基体内形成复合中心,降低了晶体硅太阳能电池的光电转换效率和使用寿命。
实用新型内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种太阳能电池。
第一方面,本实用新型的太阳能电池,包括硅基底、以及形成在所述硅基底上的栅线电极;
所述栅线电极包括:
第一金属层,直接形成于所述硅基底上,所述第一金属层含有钴原子;
第二金属层,层叠于所述第一金属层上,所述第二金属层含有铜原子。
上述太阳能电池,通过在第二金属层下方设有第一金属层;第一金属层为钴或其合金,可以有效阻挡铜原子进入硅基底中,从而避免形成复合中心;同时第一金属层为钴或其合金,钴原子进入硅基底之后,与硅基底形成硅化钴,可以实现良好的欧姆接触,进而降低栅线电极与硅基底之间的电阻,有助于提高电池性能。
可选的,所述第二金属层还含有锡、锌、镍和钨中的任意一种或几种。
可选的,所述第一金属层的厚度小于2微米。
可选的,所述第一金属层含有至少50%原子比的钴。
可选的,所述第一金属层含有至少90%原子比的钴。
可选的,所述第一金属层还含有铝、镍、银、锰、钛、铬、钒、钽、钨、钌、锗、锌、铑、铂、钯、铪、钼、铌、锑、铱、铟和锡中的任意一种或多种的组合。
可选的,所述硅基底的一侧形成有介电层,所述介电层上设置有开膜区域以露出所述硅基底,所述第一金属层至少形成于所述开膜区域内。
可选的,所述第二金属层从所述开膜区域突出所述介电层的表面,且延伸至所述开膜区域两侧的所述介电层的表面。
可选的,所述第一金属层覆盖所述开膜区域的底面以及侧面,并延伸至所述开膜区域两侧的所述介电层的表面。
可选的,所述第一金属层在所述介电层表面上沿着一个方向的延伸长度小于等于二分之一所述开膜区域宽度。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本实用新型的实施例的太阳能电池在硅基底上形成介电层的结构示意图;
图2为本实用新型的实施例的太阳能电池在介电层形成开膜区域的结构示意图;
图3为本实用新型的实施例的太阳能电池在开膜区域形成第一金属层的结构示意图;
图4为本实用新型的实施例的太阳能电池在第一金属层上形成第二金属层的结构示意图;
图5为本实用新型的实施例的太阳能电池去除介电层上多余的第一金属层的结构示意图;
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的