[实用新型]带内置负反馈的跟随器电路结构有效
申请号: | 201920956946.3 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN210183292U | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 庄在龙 | 申请(专利权)人: | 南京芯耐特半导体有限公司 |
主分类号: | H03F1/34 | 分类号: | H03F1/34;H03F1/02;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/45 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 211800 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内置 负反馈 跟随 电路 结构 | ||
本实用新型公开了一种带内置负反馈的跟随器电路结构,通过在现有跟随器电路的基础上增加放大单元,放大单元的输出再去控制跟随器电路的电流负载,构成内置负反馈环路,可以调整跟随器电路的输出带宽、频域的传导函数,同时可以调整跟随器电路的输出电流,从而提高跟随器电路的动态驱动能力。且相对于现有跟随器电路,本实用新型在增加很少器件的基础上,极大的提升了跟随器电路的时域和频域的特性,优势明显。
技术领域
本实用新型涉及电气技术领域,尤其涉及一种带内置负反馈的跟随器电路结构。
背景技术
在各种各样的电气系统中,跟随器电路是一个不可缺少的模块。因跟随器电路结构具有输入高阻抗、输出低阻抗的特点,其被应用于电位调整、阻抗隔离、输出级的驱动、滤波器等场合。
请参阅图1,现有跟随器电路原理图。现有跟随器电路以CMOS工艺为例,包括电流源It11、第一晶体管M11、第二晶体管M12以及第三晶体管M13,其中第一、第二、第三晶体管M11、M12、M13均采用NMOS晶体管。
具体的,所述第一晶体管M11作为输入晶体管,其栅极作为跟随器电路的输入节点vi,其漏极接收一电源电压VCC,其源极作为跟随器电路的输出节点vo,其源极同时电连接所述第二晶体管M12的漏极,以使第二晶体管M2作为第一晶体管M1的源极的电流负载。
所述第二晶体管M12与所述第三晶体管M13共栅共源构成电流镜;所述第二晶体管M12的漏极进一步作为所述电流镜的输出端,其源极接地;所述第三晶体管M13的漏极与其栅极短接,并电连接至所述电流源It11的输出端,作为所述电流镜的输入端,其源极亦接地;所述电流源It11的输入端电连接所述电源电压VCC。
现有跟随器电路的电流负载固定,因此跟随器电路的输出电流驱动能力弱。同时现有跟随器电路的输出阻抗以及输出带宽仅由所述第一晶体管M11的跨导一个参数决定,因而设计上灵活性不高。
因此,如何采用相对简单的电路结构来调整跟随器输出电流的驱动能力,调整跟随器输出阻抗以及输出带宽,成为跟随器电路结构技术发展亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,针对现有技术中存在的技术问题,提供一种带内置负反馈的跟随器电路结构,可以采用相对简单的电路结构来调整跟随器输出电流的驱动能力,调整跟随器输出阻抗以及输出带宽。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种带内置负反馈的跟随器电路结构,包括:输入单元、第一电流负载单元、第二电流负载单元及放大单元,所述输入单元、所述第一电流负载单元及所述放大单元构成内置负反馈环路;所述输入单元的输入端电连接至所述跟随器电路的输入节点,其第一端电连接至所述放大单元的输入端,其输出端作为所述跟随器电路的输出节点;所述第一电流负载单元的第一端电连接至所述输入单元的输出端,其控制端电连接至所述放大单元的输出端,所述第一电流负载单元用于作为所述输入单元的电流负载、以控制所述跟随器电路的输出电流;所述放大单元的控制端接收一偏置电压以工作在放大工作区域,其输入端接收所述内置负反馈环路的负反馈信号并经过放大处理,其输出端输出一控制信号动态调整所述第一电流负载单元的负载电流大小,进而调整所述跟随器电路的输出电流;所述第二电流负载单元电连接至所述放大单元的输入端,用于作为所述放大单元的电流负载。
本实用新型的优点在于:本实用新型所提出的带内置负反馈的跟随器电路结构,通过在现有跟随器电路的基础上增加放大单元,放大单元的输出再去控制跟随器电路的电流负载,构成内置负反馈环路,通过负反馈环路可以动态调整跟随器电路的输出带宽、频域的传导函数,同时可以动态调整跟随器电路输出端的负载电流,使得所述跟随器电路的输出电流可调,从而提高跟随器电路的动态驱动能力。且相对于现有跟随器电路,本实用新型在增加很少器件的基础上,极大的提升了跟随器电路的时域和频域的特性,优势明显。
附图说明
图1,现有跟随器电路原理图;
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