[实用新型]一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管有效
申请号: | 201920957676.8 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN210274712U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 黄水波;李勉伟;曹翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市灿升实业发展有限公司 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518115 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对称 互换 双向 场效应 晶体管 | ||
本实用新型实施例公开了一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管,包括晶体管主体和开设在线路板上与晶体管主体对应设置的嵌槽,所述晶体管主体的两侧均开设有安装槽,所述安装槽内设置有弹性金属弹片,且所述晶体管主体上还滑动连接用于对弹性金属弹片固定的固定架,在进行使用时,可通过设置在电路板上的嵌槽与弹性金属弹片相配合,利用固定架可在焊接时,实现对晶体管的固定,在焊接时会更加的方便,而在进行拆卸时,可拉出固定件,进而在融化焊点后,可利用弹性金属弹片的弹力使晶体管自动的弹出,拆卸更加的方便。
技术领域
本实用新型实施例涉及晶体管技术领域,具体涉及一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管。
背景技术
随着集成电路中MOSFET尺寸的不断减小,小尺寸、高电场造成的短沟道效应,漏诱生势垒降低和热载流子效应导致器件性能显著退化;更重要的是,由热载流子注入机制决定的MOSFET的亚阈值摆幅(SS)无法低于60mV/dec,造成较大的关态泄漏电源,上述缺点造成了MOSFET在尺寸进一步缩小时遇到严重的困难,研究人员正在积极寻找其他新原理器件来代替MOSFET在大规模集成电路中的应用,基于带带隧穿原理的TEFT相比于MOSFET具有更低的关态电流,更小的亚阈值摆幅,并且与传统CMOS工艺相兼容,因而成为未来最有希望取代MOSFET的器件。
其双向隧穿场效应晶体管对于DIY以及教学而言,有着重要的作用和意义,而在焊接时,需要一种一只手扶着晶体管和电路板,用另一只手拿电焊进行焊接,焊接时很是不便,且在进行拆卸时,同样需要一只手扶着电路板和晶体管,另一只手拿电焊融化焊点来对晶体管拆除,拆除很是不便,有待于我们解决。
实用新型内容
为此,本实用新型实施例提供一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管,以解决现有技术中对于焊接和拆除晶体管很是不便的问题。
为了实现上述目的,本实用新型的实施方式提供如下技术方案:
一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管,包括晶体管主体和开设在线路板上与晶体管主体对应设置的嵌槽,所述晶体管主体的两侧均开设有安装槽,所述安装槽内设置有弹性金属弹片,且所述晶体管主体上还滑动连接用于对弹性金属弹片固定的固定架。
作为本实用新型的一种优选方案,所述安装槽靠近嵌槽的一端为倾斜状结构。
作为本实用新型的一种优选方案,所述弹性金属弹片的一端固定安装在安装槽具有倾斜状结构的一端,且所述弹性金属弹片的另一端与嵌槽嵌合连接。
作为本实用新型的一种优选方案,所述弹性金属弹片与嵌槽嵌合连接的一端设置有橡胶嵌块。
作为本实用新型的一种优选方案,所述晶体管主体上设置有与用于对固定架限位的限位块。
作为本实用新型的一种优选方案,所述固定架的上下两侧均设置有凸块。
作为本实用新型的一种优选方案,所述固定架为山字形结构,且在所述固定架上还设置有滑动块,所述晶体管主体开设有与滑动块对应的滑动槽,所述固定架通过滑动块与滑动槽的咬合滑动连接在晶体管主体上。
本实用新型的实施方式具有如下优点:
本实用新型在进行使用时,可通过设置在电路板上的嵌槽与弹性金属弹片相配合,利用固定架可在焊接时,实现对晶体管的固定,在焊接时会更加的方便,而在进行拆卸时,可拉出固定件,进而在融化焊点后,可利用弹性金属弹片的弹力使晶体管自动的弹出,拆卸更加的方便。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是示例性的,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。
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