[实用新型]X波段大功率内匹配功率管有效
| 申请号： | 201920962706.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209823715U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 田锋;强盛 | 申请（专利权）人： | 南京芯云电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F1/56;H03F1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 输入功分器 输出功 微波功率器件 功率增益 匹配功率 匹配网络 输出功率 输出阻抗 输入阻抗 预分配 可控 输出 网络 | ||
【权利要求书】：
1.一种X波段大功率内匹配功率管，包括GaN HEMT，其特征在于：所述GaN HEMT一侧通过输入预匹配网络与输入功分器相连接，所述输入功分器与输入阻抗相连接；所述GaNHEMT另一侧通过输出预分配网络与输出功分器相连接，所述输出功分器与输出阻抗相连接。
2.按照权利要求1所述的X波段大功率内匹配功率管，其特征在于：所述GaN HEMT一侧还通过输入二次谐波抑制网络与输入功分器相连接，所述GaN HEMT另一侧还通过输出二次谐波抑制网络与输出功分器相连接。
3.按照权利要求2所述的X波段大功率内匹配功率管，其特征在于：所述输入二次谐波抑制网络和输出二次谐波抑制网络均采用电感、电阻和电容的串联电路。
4.按照权利要求1所述的X波段大功率内匹配功率管，其特征在于：所述输入阻抗和输出阻抗为50欧姆。
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