[实用新型]基于IPD宽带大功率内匹配功率管

说明书

本实用新型涉及一种内匹配功率管，特别是一种基于IPD宽带大功率内匹配功率管，包括输入端和输出端，所述输入端匹配馈电射频隔离电路，所述馈电射频隔离电路通过一级LC匹配射频电路与输出端相连接，所述馈电射频隔离电路还与馈电电路相连接。采用上述结构后，本实用新型通过引进IPD技术来实现匹配，灵活的应用高通低通相结合的多种匹配拓扑，展宽带宽，通过电路生产过程中光刻等先进工艺精确的控制电路尺寸，准确计算寄生耦合，以达到宽带设计的目的要求。

技术领域

本实用新型涉及一种内匹配功率管，特别是一种基于IPD宽带大功率内匹配功率管。

背景技术

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 (10⁷～10¹⁵Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

目前大功率场效应晶体管的匹配拓扑是L-C-L的匹配方式，这类拓扑结构单一，在大功率情况下，带宽窄，另外现在通过管芯出来键合金丝的匹配状态来说，电路互感寄生无法精确控制，一致性差，也导致了大功率内匹配功率管带宽很难实现。

中国发明专利CN 105634416A公开了一种内匹配功率管，包括括输入匹配电路、管芯和输出匹配电路，所述输入匹配电路为集成在GaAs基片上的单片集成电路，所述输出匹配电路为制作在陶瓷基片上的内匹配电路。

发明内容

本实用新型需要解决的技术问题是提供一种电路互感寄生可以准确控制的大功率内匹配功率管。

为解决上述的技术问题，本实用新型的基于IPD宽带大功率内匹配功率管，包括输入端和输出端，所述输入端匹配馈电射频隔离电路，所述馈电射频隔离电路通过一级LC匹配射频电路与输出端相连接，所述馈电射频隔离电路还与馈电电路相连接。

优选的，所述馈电射频隔离电路为CL-LC匹配拓扑网络。

采用上述结构后，本实用新型通过引进IPD技术来实现匹配，灵活的应用高通低通相结合的多种匹配拓扑，展宽带宽，通过电路生产过程中光刻等先进工艺精确的控制电路尺寸，准确计算寄生耦合，以达到宽带设计的目的要求。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1为本实用新型基于IPD宽带大功率内匹配功率管的电路原理图。

图2为本实用新型器件的测试曲线图。

图中：1为CL-LC匹配拓扑网络，2为馈电电路，3为一级LC匹配射频电路

具体实施方式

如图1和所示，本实用新型的基于IPD宽带大功率内匹配功率管，包括输入端和输出端，所述输入端匹配馈电射频隔离电路，所述馈电射频隔离电路通过一级LC匹配射频电路3与输出端相连接，所述馈电射频隔离电路还与馈电电路 2相连接。本实施方式中，所述馈电射频隔离电路为CL-LC匹配拓扑网络1。

本方案采取输入端采用GaAs无源电路工艺设计版图，输出端满足大功率设计要求，采用击穿更高的陶瓷实现输出端电路，GaAs无源电路工艺，原材料主要采用100umGaAs，金属化主要是溅射镍钯金。