[实用新型]一种回音壁式的堆叠晶体滤波器有效

专利信息
申请号: 201920967171.X 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN210041771U 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 申洪霞;欧文;曹立强 申请(专利权)人: 上海先方半导体有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/56;H03H9/58
代理公司: 31313 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 张东梅
地址: 200000 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 压电层 输出电极 输入电极 底电极 硅衬底 回音壁 空气腔 本实用新型 晶体滤波器 包围结构 垂直贯穿 堆叠 匹配
【说明书】:

实用新型公开了一种回音壁式的堆叠晶体滤波器,包括:输入电极;输出电极,所述输出电极与所述输入电极成匹配设计;压电层,所述压电层位于所述输入电极和所述输出电极的下方;底电极,所述底电极包括位于所述压电层下面的底部和垂直贯穿所述压电层的侧部,所述底部与所述侧部形成如回音壁式的包围结构;硅衬底,所述硅衬底位于所述底电极底部下方;以及空气腔,所述空气腔位于所述硅衬底的底部。

技术领域

本实用新型涉及电子通信技术领域,尤其涉及一种应用于电子电路中滤波器的一种的回音壁式的堆叠晶体滤波器结构。

背景技术

当前射频MEMS器件对射频系统有着很好的性能改善作用,其技术的发展速度也很快。薄膜体声波滤波器在高敏感传感器、时间基准以及射频带通滤波器有着很广泛的应用。基于硅的薄膜体声波滤波器具有有高功率容量、较低的插入损耗以及高Q值等优良特性,在射频系统中有着极其优越的应用价值和市场前景。

目前改善薄膜体声波滤波器器件性能的方法有很多,主要在于提高压电层 C轴特性,减小损耗,提高品质因子等众多方法。不断优化薄膜体声波器件的性能,需要不断优化制备工艺,获得高质量的器件材料特性,在目前材料基本探索完备的情况下,只有不断优化发器件结构,进一步获取更优的器件性能。

本实用新型提出一种新型的回音壁式的堆叠晶体滤波器结构,减少了器件损耗,同时具有更灵活的输入输出端的角度选取,从而可以获得更好的滤波器性能。

实用新型内容

为了减少了器件损耗,同时具有更灵活的输入输出端的角度选取,从而获得更优的器件性能,根据本实用新型的一个实施例,提供一种回音壁式的堆叠晶体滤波器,包括:

输入电极;

输出电极,所述输出电极与所述输入电极成匹配设计;

压电层,所述压电层位于所述输入电极和所述输出电极的下方;

底电极,所述底电极包括位于所述压电层下面的底部和垂直贯穿所述压电层的侧部,所述底部与所述侧部形成如回音壁式的包围结构;

硅衬底,所述硅衬底位于所述底电极底部下方,用于支撑所述新型的回音壁式的堆叠晶体滤波器;以及

空气腔,所述空气腔位于所述硅衬底的底部。

在本实用新型的一个实施例中,所述输入电极和所述输出电极为半圆对接电极,输入电极和所述输出电极间具有间隙。

在本实用新型的一个实施例中,所述输入电极和所述输出电极的材料为钼和或金和或铝和或铜。

在本实用新型的一个实施例中,所述输入电极和所述输出电极为对称多边形对接电极,输入电极和所述输出电极间具有间隙。

在本实用新型的一个实施例中,所述对称多边形为四边形、六边形、八边形。

在本实用新型的一个实施例中,所述压电层材料为AlN或ZnO。

在本实用新型的一个实施例中,所述底电极为接地电极,所述底电极与所述输入电极、输出电极形成GSG信号通路。

在本实用新型的一个实施例中,所述底电极垂直贯穿所述压电层的侧部用于抑制横向谐波的泄漏,降低声波的损失。

本实用新型提供一种新型的回音壁式的堆叠晶体滤波器结构,通过在压电层的两侧挖槽并填充金属材料连接压电层下方的金属,形成如同回音壁式的反射结构的接地底电极;结合底电极,再通过类圆形匹配设计形成输入电极和输出电极,可以实现任意角度的能量输送,覆盖有效压电层结构,形成堆叠晶体滤波器结构。本实用新型提供的该种新型的回音壁式的堆叠晶体滤波器结构可以减少损耗,实现灵活的输入输出端的角度选取,回音壁式的接地侧壁可以有效减少压电层的横向泄漏,可以有效抑制剪切波引起的能量损失。

附图说明

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