[实用新型]一种新型锗基片有效
| 申请号： | 201920968277.1 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN209992700U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王兴明 | 申请（专利权）人： | 王兴明 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 341000 江西省赣*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锗基片 附着力 本实用新型 光学薄膜 平面度 平行度 上表面 下表面 有效地 抛光 倒角 倒棱 封装 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型锗基片，其特征在于：包括有方形锗基片(1)，所述方形锗基片(1)上表面、下表面与侧面之间分别设有倒棱边(2)，所述方形锗基片(1)四个角为倒角(3)，所述方形锗基片(1)外表面的平面度优于633纳米、平行度优于2秒。
2.根据权利要求1所述的一种新型锗基片，其特征在于：所述方形锗基片(1)由光学级锗单晶组成。
3.根据权利要求1所述的一种新型锗基片，其特征在于：所述倒棱边(2)角度为45度，宽度范围为0.07毫米-0.15毫米，不均匀性小于0.02。
4.根据权利要求1所述的一种新型锗基片，其特征在于：所述倒角(3)角度为45度，宽度范围为0.07毫米-0.15毫米。
5.根据权利要求1所述的一种新型锗基片，其特征在于：所述倒棱边(2)和方形锗基片(1)侧面粗糙度分别为Ra小于0.04。
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