[实用新型]用于化学气相沉积反应的供气系统

说明书

本申请提供了一种用于化学气相沉积反应的供气系统，该供气系统包括：液态源储存设备，用于存储液态源；汽化设备，与液态源储存设备可切断地连通，汽化设备用于对液态源汽化；气体存储设备，与汽化设备可切断地连通，气体存储设备用于储存汽化设备汽化形成的气体；化学气相沉积反应设备，与气体存储设备连通。该系统将汽化形成的气体先储存在气体存储设备中，这样当气体存储设备中的气体达到预定的压力后，再向化学气相沉积反应设备供气，避免了供气过程受到汽化过程的影响，从而提高了气体供应的稳定性，解决了现有技术中的供气方式供气不稳定的问题。

技术领域

本申请涉及化工领域，具体而言，涉及一种用于化学气相沉积反应的供气系统。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)是向保持特定压力、特定温度条件下的工艺腔室内通入两种以上气体，气体混合后发生反应从而在目标基片上沉积薄膜的工艺，由于其具有绕镀性好以及可沉积复杂化合物等特性，在半导体行业有广泛应用。

目前，液态源主要是通过载气携带或者加热蒸发两种方式实现汽化并向CVD设备的反应腔室供气。

载气携带的方式是指向液态源通入某种气体作为载气，载气在液态源内部形成起泡，气泡溢出的过程会携带出气态的源，经过稀释后通入腔室参与反应，如图1所示，液态源保存在源瓶100内，源瓶100中插设有进气管线200和出气管线300，其中，进气管线200上设置有第一进气控制阀400和第二进气控制阀500，出气管线300上设置有第一出气控制阀600和第二出气控制阀700，载气经过第一进气控制阀400和第二进气控制阀500进入到源瓶100内，携带气态源后分别经过第一出气控制阀600和第二出气控制阀700以混合气体的形式进入到工艺系统参与反应，这种方式受载气气流稳定性以及温度等因素影响无法精确控制携带出的前驱气体量，且供气不稳定。

加热蒸发的方式是通过加热液态源使之挥发成气态后通入反应室从而参与反应，如图2 所示，液态源保存在源瓶100’内，源瓶100’中插设有进气管线200’和出气管线300’，源瓶100’、进气管线200’和出气管线300’均包裹有电伴热设备400’，进气管线200’上设置有进气控制阀 500’，出气管线300’上设置有第一出气控制阀600’和第二出气控制阀700’，通过电伴热设备给源瓶加热使内部的液态源受热蒸发成气体后经过第一出气控制阀和第二出气控制阀进入到工艺系统参与反应，供气过程中进气控制阀500’处于关闭状态，此种方式受饱和蒸气压等因素限制，蒸发效率有限，大气量供应时容易出现供气不稳定等问题。

实用新型内容

本申请的主要目的在于提供一种用于化学气相沉积反应的供气系统，以解决现有技术中的供气方式供气不稳定的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种用于化学气相沉积反应的供气系统，该供气系统包括：液态源储存设备，用于存储液态源；汽化设备，与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备用于对液态源汽化；气体存储设备，与所述汽化设备可切断地连通，所述气体存储设备用于储存所述汽化设备汽化形成的气体；化学气相沉积反应设备，与所述气体存储设备连通。

进一步地，所述汽化设备包括进液口，所述进液口的一端与所述液态源储存设备可切断地连通，所述汽化设备还包括：第一壳体，具有第一容纳腔；雾化喷头，位于所述第一容纳腔内，所述雾化喷头与所述进液口的另一端连通，所述雾化喷头用于将所述液态源雾化为液滴；至少一个加热器，所述加热器设置在所述第一容纳腔内和/或设置在所述第一容纳腔外，所述加热器用于将所述液滴加热为气态。

进一步地，所述加热器包括加热棒和/或第一电热伴设备。

进一步地，所述汽化设备还包括穿设在所述第一壳体底部的漏液传感器。

进一步地，所述汽化设备还包括吹扫管路接口，所述吹扫管路接口设置在所述汽化设备的靠近进液口的一端。