[实用新型]一种基于PWM的三相全桥控制电路

说明书

本实用新型揭示了一种基于PWM的三相全桥控制电路，MCU设有四个I/O口输出PWM信号分别为IO1、IO2、IO3、IO4，电路U2主要包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、三极管(或MOSFET等其他开关器件)Q1、Q2、Q3。仅需要MCU4个I/O的三相互补PWM信号输出电路，降低了对MCU的选型要求，降低了电路成本。

技术领域

本实用新型涉及驱动电路领域，尤其涉及基于PWM的三相全桥控制电路。

背景技术

目前常见三相全桥驱动电路大多使用MCU或者PWM发生器输出三相6路两两互补的PWM信号。此种方法要求MCU必须有多路的PWM输出且具有互补输出功能，提高了对MCU或PWM发生器的要求，使电路成本上升。相比此种电路，本文提出一种利用MCU的4个IO输出3相互补PWM的电路。该电路安全可靠，结构简单，对MCU要求较低，降低了电路成本。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是实现一种仅需要MCU4个I/O的三相互补 PWM信号输出电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种基于PWM的三相全桥控制电路，MCU设有四个I/O口输出PWM信号分别为IO1、IO2、IO3、IO4：

电阻R1的一端与MCU的IO1连接，另一端与三极管Q1的集电极连接，电阻R2的一端与MCU的IO2连接，另一端与三极管Q1的基极连接，PWM1H为高侧输出端，一端与电阻R1及三极管Q1的集电极连接，PWM1L为低侧输出端，一端与电阻R2及三极管Q1的基极连接；

电阻R3的一端与MCU的IO1连接，另一端与三极管Q2的集电极连接，电阻R4的一端与MCU的IO3连接，另一端与三极管Q2的基极连接，PWM2H为高侧输出端，一端与电阻R3及三极管Q2的集电极连接，PWM2L为低侧输出端，一端与电阻R4及三极管Q2的基极连接；

电阻R5的一端与MCU的IO1连接，另一端与三极管Q3的集电极连接，电阻R6的一端与MCU的IO4连接，另一端与三极管Q3的基极连接，PWM3H为高侧输出端，一端与电阻R5及三极管Q3的集电极连接，PWM3L为低侧输出端，一端与电阻R6及三极管Q3的基极连接。

所述PWM1H的另一端输出连接HVIC或IPM的H1IN，所述PWM1L的另一端输出连接HVIC或IPM的L1IN；

所述PWM2H的另一端输出连接HVIC或IPM的H2IN，所述PWM2L的另一端输出连接HVIC或IPM的L2IN；

所述PWM3H的另一端输出连接HVIC或IPM的H3IN，所述PWM3L的另一端输出连接HVIC或IPM的L3IN。

所述三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3的发射极均接地。

本实用新型是一种基于PWM的三相全桥控制电路，利用4个IO口即可实现三相PWM互补输出，整体电路简单可靠，降低了电路总体成本。

附图说明

下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容作简要说明：

图1为基于PWM的三相全桥控制电路示意图。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本实用新型的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。

如图1所示，U2主要包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、三极管(或MOSFET 等其他开关器件)Q1、Q2、Q3。