[实用新型]一种孔式连通型芯片电容器有效
申请号: | 201920973544.4 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN209947659U | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 彭小丽;牟舜禹;舒钞;杨海涛 | 申请(专利权)人: | 成都宏科电子科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/002 | 分类号: | H01G4/002;H01G4/005;H01G4/12 |
代理公司: | 51217 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陶红 |
地址: | 610199 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子电极 金属化过孔 第二电极 本实用新型 第一电极 介质体 连通 电子元件技术 芯片电容器 键合引线 接地电感 介质体表 芯片电容 接地孔 金属化 连通型 元器件 键合 种孔 装配 覆盖 | ||
1.一种孔式连通型芯片电容器,包括介质体、覆盖于介质体表面的第一电极和第二电极,其特征在于:所述第一电极包括第一子电极和第二子电极,所述第一子电极与第二子电极之间设置有未金属化的通道,所述第二子电极所在介质体的一侧设置有金属化过孔,所述金属化过孔将所述第二子电极与第二电极连通。
2.根据权利要求1所述的孔式连通型芯片电容器,其特征在于:所述第一电极和第二电极为金属涂层,所述第二电极完全覆盖所述介质体的下表面。
3.根据权利要求1所述的孔式连通型芯片电容器,其特征在于:所述介质体为陶瓷介质体。
4.根据权利要求1所述的孔式连通型芯片电容器,其特征在于:所述金属化过孔为半圆形。
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