[实用新型]一种过电保护恒流源

说明书

本实用新型公开了一种过电保护恒流源，包括恒流源单元，还包括第一场效应管，第一场效应管的栅极通过上拉电阻与电源连接，且与栅极控制信号连接，第一场效应管的漏极与恒流源单元的电流输出端连接，第一场效应管的源极与电气地连接，恒流源单元的电流输出端还分别与反馈比较器的同相端和第二场效应管的漏极连接，反馈比较器的反相端与第一参考电压连接，反馈比较器的输出端与第二场效应管的栅极连接，第二场效应管的源极与电气地连接。本实用新型可以在稳定提供电流源的情况下，保证老化过程中不会出现过流与过压的情况，对光器件造成损害。

技术领域

本实用新型属于电源技术领域，具体涉及一种过电保护恒流源。

背景技术

光通信器件LD TO （LASER DIODE Transistor Outline)的生产工艺中有一个必需的环节就是在一定的温度下，对LD TO给一个恒定的电流老化一定的时间。而LD TO是光通信的核心器件，其价值较高，每一生产环节都需要很规范，尤其在测试与老化的加电过程，不能出现过冲现象(EOS).所以对测试与老化的供电电源的要求很高。在老化过程中电流要缓慢的升到额定值，同时给定的电压不能超过器件的额定电压，以防止老化过程损伤或损坏LD TO芯片。所以普通的恒流源不能满足LD TO老化的需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术缺陷，提供一种过电保护恒流源，满足LD TO老化过程中特定的要求，保证在整过老化过程中不会出现过流与过压的现象。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种过电保护恒流源，包括恒流源单元，还包括第一场效应管，第一场效应管的栅极分别与上拉电阻一端以及栅极控制信号连接，上拉电阻另一端与电源连接，第一场效应管的漏极与恒流源单元的电流输出端连接，第一场效应管的源极与电气地连接，

恒流源单元的电流输出端还分别与反馈比较器的同相端和第二场效应管的漏极连接，反馈比较器的反相端与第一参考电压连接，反馈比较器的输出端与第二场效应管的栅极连接，第二场效应管的源极与电气地连接。

如上所述的恒流源单元包括电压比较器、差分运算放大器、和功率三极管，功率三极管的集极与电源连接，功率三极管的基极通过限流电阻与电压比较器的输出端连接，功率三极管的发射极通过采样电阻与恒流源单元的电流输出端连接，差分运算放大器的一对输入端分别与采样电阻的两端连接，差分运算放大器的输出端与电压比较器的反相端连接，第二参考电压与电压比较器的同相端连接。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果：

1、结构简单，稳定可靠。

2、可以在稳定提供电流源的情况下，保证老化过程中不会出现过流与过压的情况，对光器件造成损害。

3、方便扩展为多路。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

Q1-第一场效应管；Q2-第二场效应管；Q3-功率三极管；R1-限流电阻；R2-上拉电阻；Rs-采样电阻；D1-LD TO器件；U1-电压比较器；U2-差分运算放大器；U3-反馈比较器；VREF1-第一参考电压；VREF2-第二参考电压；VCON-栅极控制信号。

具体实施方式

为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细描述，应当理解，此处所描述的实施示例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

一种过电保护恒流源，包括恒流源单元，还包括第一场效应管Q1，第一场效应管Q1的栅极分别与上拉电阻R2一端以及栅极控制信号VCON连接，上拉电阻R2另一端与电源连接，第一场效应管Q1的漏极与恒流源单元的电流输出端连接，第一场效应管Q1的源极与电气地连接，