[实用新型]一种聚焦离子束双束电子显微镜系统及其样品台

说明书

本实用新型提供一种聚焦离子束双束电子显微镜系统及其样品台，样品台包括样品台本体，用于承载样品；支撑柱，设置在所述样品台本体的底部，用于支撑所述样品台本体；其中，样品台本体包括具有第一部分和第二部分，第一部分形成具有顶部水平面的平台结构，第二部分由所述平台结构的第一端延伸形成，并且包括自所述顶部水平面向下延伸形成的斜面结构。斜面结构与水平面的夹角介于0～90°。可以根据实际需要设定该夹角的大小。通过设定该夹角的大小，当样品放置在该斜面结构上时，自然地呈倾斜状，该倾斜能够抵消采用FIB方法对样品进行加工时由于样品不同层的材料不同造成的切割条纹倾斜问题，得到理想的条纹图案。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制备技术领域，具体涉及一种聚焦离子束双束电子显微镜系统及其样品台。

背景技术

半导体器件制备制程通常涉及半导体切片(X-Section)样品的制备，X-section样品制备过程中，通常采用聚焦离子束(Focused Ion beam，FIB)技术，该技术通常采用将离子(例如Ga⁺)束打到样品的表面使样品上的原子被轰击去除，实现对样品的切割加工。该过程中，由于样品中每一层的形成材料以及所需图案不同，离子束在由上至下切割的过程中，会因为材料的不同致使团发生倾斜，或者出现厚薄不均匀的图案。尤其在不同层包括金属和非金属材料时，由于金属材料和非金属材料的硬度差异，容易出现厚薄不均匀的条形图案。随着半导体工艺中日益变小的临界尺寸(例如条形图案的条宽)，这种不均匀的图案结构对半导体工艺带来的负面影响越来越严重。例如会严重影响成像的临界尺寸、样品的弯曲度以及影响对样品成分的分析等。

目前，常用的消除上述图案倾斜的手段包括，手动将样品从样品夹上倾斜一定的角度。但是这样的操作过程容易造成样品脱落，并且会影响样品的机械角度。也有公司采用双轴倾斜的方法来解决上述图案倾斜的问题，但是这种方法适用性较差，很难推广应用。

实用新型内容

针对现有技术中FIB技术存在的上述不足与缺陷，本实用新型提供一种用于聚焦离子束双束电子显微镜的样品台以及一种聚焦离子束双束电子显微镜系统，该样品台设置有斜面部分，通过该斜面部分消除FIB技术对样品进行加工是产生的图案倾斜问题。

根据本实用新型的第一方面，本实用新型提供了一种用于聚焦离子束双束电子显微镜的样品台，包括：

样品台本体，用于承载样品；

支撑柱，设置在所述样品台本体的底部，用于支撑所述样品台本体；

其中，所述样品台本体包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成具有顶部水平面的平台结构，所述第二部分由所述平台结构的第一端延伸形成，并且包括自所述顶部水平面向下延伸形成的斜面结构。

可选地，所述斜面结构与水平面的夹角介于0～90°。

可选地，所述斜面结构与水平面的夹角为10°。

可选地，所述样品台的高度范围介于1.5cm～2.5cm，所述样品台本体的宽度范围介于1cm～2cm，所述样品台本体的长度小于10cm。

可选地，所述支撑柱包括设置在所述第二部分的底部的中间位置的圆柱，所述支撑柱的高度介于0.5cm～1cm，所述支撑柱的直径介于2mm～3mm。

可选地，所述第一部分形成的所述平台结构还包括与所述顶部水平面垂直的侧面，所述侧面位于所述平台结构的与所述第一端相对的第二端。

根据本实用新型的第二方面，本实用新型提供了一种聚焦离子束双束电子显微镜系统，包括对样品进行加工的聚焦离子束系统以及用于承载所述样品的样品台，其中，所述样品台包括：

样品台本体，用于承载所述样品；

支撑柱，设置在所述样品台本体的底部，用于支撑所述样品台本体；